刘涛
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
- 供职机构：暨南大学理工学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术自然科学总论更多>>
- MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究被引量：6
- 1991年
- 本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和d分别为1.47×10^(10)cm^(-3)、1.09eV和50A,模型参数τ_o及v_o和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO_2膜Si/SiO_2界面上态密度的D_(it)(E)分布,其结果和MOS结构中厚SiO_2膜的界面情况类似.
- 黄君凯刘涛
- 关键词：化合物半导体
- MNOS存储晶体管的研制
- 1990年
- 用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。
- 赵守安刘竞云刘涛
- 关键词：氮化硅
- PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨被引量：2
- 1992年
- 本文研究和讨论了使用H99-7S型多用离子反应仪PECVD法淀积氮化硅(SiN_xH_y)膜的工艺,并探讨了SiN_XH_Y膜同时作为氢离子敏场效应晶体管(H^+-ISFET)敏感膜及二次钝化保护膜的可行性,以改善H^+-ISFET器件的密封防渗漏性能。
- 钟雨乐刘涛李京娜
- 关键词：PECVD淀积
- MNOS结构保留特性的研究被引量：3
- 1991年
- 通过浅在储陷阱的电荷泄漏模型,对MNOS结构的保留特性进行研究。根据模型推导出的理论公式满意地描述了包括温度效应和栅压效应在内的实验结果,并得出所研制MNOS结构中存储电荷的保留时间t_r和存储陷阱的分布参数No、E_t和d分别为4.0×10~3min、1.85×10^(18)cm^(-3)、1.04eV和50(?)。
- 黄君凯刘涛
- 一种新型氮化硅氢离子敏器件及其特性被引量：1
- 1996年
- 新型氮化硅氢离子敏器件采用ＰＥＣＶＤ法淀积ＳｉＮｘＨｙ膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能；敏感灵敏度β＝５６～６０ｍＶ／ｐＨ，比用ＬＰＣＶＤ法淀积的Ｓｉ３Ｎ４膜提高１４％，β的线性度有明显改善；响应时间也缩短一倍。
- 钟雨乐赵守安刘涛
- 关键词：PECVD氮化硅氢离子
- 水化层对氮化硅膜pH－ISFET输出特性的影响被引量：1
- 1994年
- 对氮化硅膜ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的输出特性与水化层的关系进行了一系列实验研究。若水化层的增长速率较大，器件的敏感灵敏度及其线性范围、响应速度都有明显的改善。水化层增长速率较高的敏感膜具有较大的时漂速率；时漂速率为一常数，与浸泡溶液无关。
- 钟雨乐刘涛
- 关键词：敏感膜氮化硅膜
- pH－ISFET 输出时漂特性的研究被引量：2
- 1994年
- 本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成ΔＶＴ（ｔ）的正向时漂．提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释．
- 钟雨乐赵守安刘涛
- 关键词：PH-ISFET
