关安民
- 作品数：16 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 对引进离子注入机损坏部件进行国产化替换的尝试
- 引进了不少离子注入机，维修问题日渐重要，对其损坏部件，用国产配件进行替换，不乏为又快又省的维修方法。该文叙述了九年多来，作者在维修ＩＭ－２００Ｍ型离子注入机的实践中，对损坏的吸极电源，氟里昂热交换器和化学机械泵等重要部件...
- 黄克铃关安民任晋成
- 关键词：电源换热器零部件
- GaAs低能Si^+及SiF^+离子注入研究
- 1993年
- 本文对30keV Si^+和分子离子S_1F^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si^+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF^+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF^+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si^+和SiF^+的退火行为进行了讨论。
- 关安民李钧石华君夏冠群沈鸿烈江炳尧朱南昌陈酋善
- 关键词：离子注入砷化镓
- 25keV AS~+大倾斜角注入的损伤分析
- 1994年
- 通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．
- 何治平周祖尧关安民朱文玉江炳尧施左宇林成鲁钱佑华陈良尧苏毅
- 关键词：离子注入砷
- 对引进离子注入机损坏部件进行国产化替换的尝试
- 1991年
- 国内引进了不少离子注入机,维修问题日渐重要。对其损坏部件,用国产配件进行替换,不乏为又快又省的维修方法。本文叙述了八年多来,我们在维修IM—200M型离子注入机的实践中,对损坏的吸极电源、氟里昂热交换器和化学机械泵等重要部件,用自制的或改制的国内配件进行替换,从而保证了设备安全运行二万五千多小时,注入八万五千多块硅及GaAs靶片,完成了集成电路研制和开发任务。
- 黄克铃任晋成孙少康周荣祥经文春关安民
- 关键词：离子注入机国产化
- 在线Nielsen源的研制
- 1996年
- 描述如何简单地把标准Ｎｉｅｌｓｅｎ源改建成在线离子源，对它的一些性能进行测试并与标准离子源作了比较，讨论了它们的差别和产生的原因。实验结果表明，两离子源的放电特性无差别，改建后的离子源可考虑用来进行整体靶离子源试验。
- 顾嘉辉张步发周建中陆嵘余笑寒刘静怡石双惠关安民石华君李钧
- 关键词：离子源轴向磁场
- 低能离子注入的应用
- 1996年
- 集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及它们在一－些器件上应用的结果。
- 关安民罗潮渭李钧石华君林成鲁夏冠群
- 关键词：低能离子注入超浅结超薄有源层
- 对引进离子注入机损坏部件进行国产化替换的尝试
- 国内引进了不少离子注入机,维修问题日渐重要,对其损坏部件,用国产配件进行替换,不乏为又快又省的维修方法.本文叙述了九年多来,我们在维修IM-200M型离子注入机的实践中,对损坏的吸极电源,氟里昂热交换器和化学机械泵等重要...
- 黄克铃关安民任晋成孙少康周荣祥经文春
- 文献传递
- 1、2MeV双电荷态磷离子注入硅的研究被引量：1
- 1989年
- 本文介绍了离子源使用不同放电物质所获得的双电荷态磷离子注入硅的工作。实验结果表明:在600kV离子注入机上利用双电荷态离子得到的1.2MeVP^(2+)注入硅可获得适用于制备VLSI的CMOS电路中杂质反向分布N阱结构的掩埋层。
- 耿海阳关安民林成鲁俞波
- 关键词：离子离子注入污染VLSI
- 600KeV重离子注入机及其应用
- 蒋新元赵崎华关安民
- 关键词：束流光学离子注入
- 高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征
- 1994年
- 将能量为1.5MeV,剂量分别为1.5×10^(15)cm^(-2)和7.5×10^(15)cm^(-2)的磷离子注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层,在500—4000cm^(-1)波数范围的红外反射谱中,观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象,在分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应光学响应的特征基础上,通过计算机模拟红外反射谱,建立了深导电埋层的光学表征方法,应用这种表征方法,获得了导电埋层中的载流子分布、迁移率和高能注入离子的电激活率,模拟计算结果表明红外反射谱对载流子分布形状和模型中参量是敏感的,模拟计算的准确程度是高的,进行了模拟计算的结果与实验结果的比较。
- 俞跃辉邹世昌关安民周筑颖赵国庆
- 关键词：离子注入硅
