何军
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：湖北大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- TiO_x层在Pt/Ti电极中对Ti扩散的抑制作用被引量：2
- 2006年
- 采用直流磁控溅射方法在SiO2/Si衬底上制备出Pt/Ti和Pt/TiOx底电极。用XRD分析其晶相结构,用AFM测量其晶粒尺寸和表面粗糙度。结果表明,用TiOx层代替金属Ti后,能有效地抑制在高温环境下Ti原子向Pt层扩散,使电极表面粗糙度减小(粗糙度为2.99 nm)。
- 张柏顺何军章天金
- 关键词：电子技术铁电薄膜PT/TI电极粗糙度
- R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其光学特性研究被引量：1
- 2005年
- 用R.F.磁控溅射法在石英衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为及其表面形貌.在550 ℃衬底温度下沉积的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀.应用双光束分光光度计,在200～900 nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据'包络法'理论计算薄膜的折射指数.结果表明,随着辐射波长从650 nm减小到480 nm,薄膜的折射率从2.04增加到2.15;随着波长进一步降低,折射率急速上升,到420 nm时,折射率升至2.40,显示出典型的电子带间跃迁的色散曲线.由'包络法'和Tauc关系确定BST薄膜的光学能隙约为3.66 eV.
- 张柏顺章天金江娟何军
- 关键词：BST薄膜射频溅射光学特性
- Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜的磁控溅射法制备与介电性能研究
- 2007年
- 用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.研究沉积气压和衬底温度对BST薄膜结构及介电性能的影响.应用XRD和AFM表征薄膜的物相结构及其表面形貌,通过阻抗分析仪测量薄膜的介电性能.结果表明在3.0 Pa沉积气压和600℃衬底温度下制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有较好的微结构和介电性能.
- 王今朝章天金王军江娟潘瑞坤何军
- 关键词：BST薄膜介电性能
- 钛酸锶钡粉体晶化过程和物相结构研究被引量：2
- 2006年
- 应用传统陶瓷制备工艺制备出Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）粉体，在600—1140℃范围内对粉体按不同温度煅烧，用X射线衍射分析各煅烧温度下制备出粉体的物相结构，用TG／DTA研究了粉体在煅烧过程中的晶化过程．实验结果表明：粉体在600-900℃煅烧过程中出现3个不同的中间相，900℃附近这些中间相基本消失，BST钙钛矿相开始形成，经过1000℃煅烧2．5h，BST粉体已经显示为完全的钙钛矿相，其晶格常数a和c分别为0．3974mm和0．3984mm，晶胞体积为0．0629nm^3．随着煅烧温度的升高，粉体的晶格常数和晶胞体积逐渐减小．
- 张柏顺郭涛何军江娟章天金
- 关键词：钛酸锶钡晶化过程晶格常数
- Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3陶瓷靶材的制备工艺及电性能研究
- 2005年
- 应用传统的陶瓷制备工艺制备Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材,讨论了Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材的最佳工艺条件.用XRD衍射仪分析了预烧粉料的物相结构,并结合热失重(TG)分析确定了BST(70/30)粉料的预烧温度,用SEM观察了Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材在不同烧结温度下的显微结构,用Agilent 4294A精密阻抗分析仪测得BST靶材的介电性能,用Prec ise-W orkshop测试BST靶材的铁电性能.实验结果表明,采用传统的陶瓷制备工艺制得晶粒较为均匀、结构致密的Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷靶材的最佳工艺条件为:在940℃预烧2 h,1 300℃烧结2 h.
- 何军章天金江娟张柏顺潘瑞琨马志军王今朝
- 关键词：靶材介电性能铁电性能
- 磁控溅射法制备BST铁电薄膜的实验研究被引量：5
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在Si和Pt/TiOx/SiO2/Si衬底上沉积了(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜,研究了BST铁电薄膜微观结构和介电性能。实验结果表明:衬底温度在550℃,工作气压为2.0 Pa的溅射条件下沉积的BST薄膜,经750℃退火处理30 min后,形成了完整的钙钛矿相;与Si衬底相比,在Pt衬底上制备的BST薄膜晶粒更均匀、表面平整无裂纹。在室温、频率为100 kHz条件下薄膜的介电常数ε=353.8,介电损耗tanδ=0.012 8。介电温谱结果表明制备的(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜居里温度在5.0℃左右。
- 章天金何军张柏顺潘瑞琨江娟马志军
- 关键词：居里温度
