电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室
- 作品数：65 被引量：166H指数：8
- 相关作者：何小琦潘金辉邓文基肖庆中马鑫更多>>
- 相关机构：华南理工大学信息产业部电子第五研究所广东工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家基础科研基金资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 裸芯片封装技术的发展与挑战被引量：8
- 2008年
- 随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存在的一些不足之处,使得人们能够更加客观地看待一种新的技术,并且扬长避短地利用好它。一方面裸芯片的引入能够提高系统集成度和速度,这是裸芯片应用技术发展的必然性;另一方面针对裸芯片应用技术存在的问题,文章着重介绍了两种解决方法,即通过发展KGD技术和改进工艺的方法来提高裸芯片的质量和可靠性。
- 吴少芳孔学东黄云
- 关键词：裸芯片多芯片组件
- 等效厚度评估GaAs MMIC的Si_3N_4电容可靠性
- 2004年
- 通过不同GaAsMMIC的MIMSi3N4电容结构,运用TDDB理论研究分析了斜坡电压下的MIMSi3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了GaAsMMIC的MIMSi3N4电容失效不是介质本征击穿导致失效,而主要是由Si3N4介质的缺陷引起。基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估和监测GaAsMMIC的Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测。
- 黄云钮利荣林丽
- 关键词：可靠性
- GaAs器件寿命试验及其方法比较
- 本文介绍了加速寿命试验方法的理论基础,并针对GaAs器件概述了几种常用的寿命试验方法及其数据处理模型,在阐述了加速寿命试验的实施过程后,对几种寿命试验方法进行了比较,并明确其各自的优缺点,指出研究既快速又准确的加速寿命测...
- 崔晓英
- 关键词：GAAS可靠性加速寿命试验
- 文献传递
- MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究
- 本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂量下Ⅰ-Ⅴ转移特性曲线和阈值电压的变化以及器件结构尺寸对总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明一定总剂量辐射条件...
- 林丽李斌罗宏伟师谦何玉娟
- 关键词：MOS器件辐照效应电离辐射
- 文献传递
- 动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2
- 2008年
- 辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。
- 何玉娟师谦罗宏伟恩云飞章晓文李斌刘远
- 质子SEU率计算模型及其对比
- 本文首先介绍了计算质子单粒子翻转(SEU)率的三种模型——优质因素(FOM)模型、J.Barak的模型和Philippe Calvel的模型，然后对通过重离子数据计算质子翻转横截面以及SEU率的理论依据进行了说明,最后阐...
- 汪俊师谦邓文基
- 关键词：集成电路芯片设计单粒子翻转
- 文献传递
- 深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究
- 2011年
- 对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响。
- 尹雪梅师谦李斌
- 关键词：温度退火效应总剂量效应电离辐射
- 用扫描声学显微镜进行塑封器件的封装分层分析被引量：13
- 2004年
- 在塑封IC器件中,封装分层往往会产生电和封装的可靠性问题。由过电应力(EOS)和再流焊中的水汽膨胀引起的分层会显示出不同的失效模式。扫描声学显微镜可以用来检测封装分层,能在失效分析的早期阶段快速地鉴别失效原因。
- 古关华
- 微波组件热模拟分析方法研究
- 本文着重介绍了ANSYS有限元分析软件在微波组件热分析方面的方法,这个方法可以为实际中微波组件设计工作提供一些参考和依据。
- 谢国雄来萍
- 关键词：微波组件热环境测试有限元分析
- 文献传递
- 双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应被引量：2
- 2007年
- 在辐射的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管比PNP管严重。本文对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨,并讨论了双极器件的抗辐射加固技术。
- 尹雪梅李斌师谦
- 关键词：低剂量率电离辐射双极晶体管抗辐射加固
