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河北普兴电子科技股份有限公司: 作品数：191 被引量：120H指数：7; 相关作者：赵丽霞袁肇耿薛宏伟陈秉克吴会旺更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院中电化合物半导体有限公司更多>>; 发文基金：石家庄市科学技术研究与发展计划河北省科技厅科研项目更多>>; 相关领域：电子电信经济管理文化科学自动化与计算机技术更多>>

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浅谈硅片背面铜污染的清洗被引量：1: 2015年; 在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜。目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的。本文就是针对这三种清洗液展开讨论,浅谈清洗液对于硅片背面Cu污染的清洗。; 刘永刚; 关键词：铜污染刻蚀

一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法: 本发明公开了一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。所述评价方法包括如下步骤：取高纯碳化硅粉料，采用测色装置测量其明度值L*及色度值a*和b*；将所得L<Sup...; 王建江王毅高卫李召永赵丽霞吴会旺陈秉克

常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及外延片的应用: 本发明公开了一种常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及应用，属于半导体外延材料制备领域，采用单片外延生长系统，衬底使用6英寸重掺B的P型IC片，晶向<111>，电阻率≤0.006Ω·cm，背封工艺为SiO<...; 米姣王刚陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚; 文献传递

高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长被引量：4: 2021年; 采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸=2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H_(2)比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101μm/h。同时,系统研究了C/Si比对4H-SiC同质外延层生长速率、表面缺陷密度和基面位错密度的影响。采用光学显微镜和表面缺陷测试仪对同质外延层缺陷形貌以及缺陷数量进行表征。结果表明,当C/Si比不小于0.75时,4H-SiC同质外延层生长速率趋于稳定,约为101μm/h,这是沉积表面硅源受限导致的。此外,随着C/Si比增加,4H-SiC同质外延层表面缺陷密度明显增多,而衬底基面位错(BPD)向刃位错(TED)转化率几乎接近100%。因此,当生长速率约为101μm/h、C/Si比为0.77时能够获得高质量、高一致性的4H-SiC同质外延片,其外延层表面缺陷和基面位错密度分别为0.39 cm^(-2)和0.14 cm^(-2),外延层厚度和掺杂浓度一致性分别为0.86%和1.80%。; 薛宏伟袁肇耿袁肇耿杨龙; 关键词：4H-SIC

8英寸VDMOS用硅外延片: 2009年; 河北普兴电子科技股份有限公司的8英寸VDMOS用硅外延片荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。; 关键词：VDMOS 硅外延片电子科技半导体

4HN碳化硅外延片标准研究: 2019年; 本文通过介绍碳化硅材料的发展趋势,提出了碳化硅外延片标准体系建立对产业发展的意义。标准中规定了SiC同质外延片使用的衬底参数规范、外延片测试表征方法及技术规范、包装运输及储存。本标准的提出将碳化硅衬底参数与测试方法及技术规范结合,大大降低了衬底因素对产品质量的影响,促进了外延技术和产品质量的提升。; 杨龙赵丽霞; 关键词：碳化硅外延片

硅外延片及其制备方法: 本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所述...; 高国智陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚; 文献传递

一种碳化硅外延生长控制方法: 本发明实施例提供一种碳化硅外延生长控制方法，应用于碳化硅外延设备；外延气体经多个导流管至出气口后，碳化硅衬底在外延气体的作用下形成条形外延区域；方法包括：获取各导流管的出气口处条形外延区域的外延层厚度；根据导流管的出气口...; 杨龙吴会旺李召永张永强尹志鹏袁肇耿赵丽霞

φ8″高性能硅外延材料: 陈秉克吴福民薛宏伟赵丽霞徐永强刘六亭等; 该课题利用化学汽相淀积方法，采用世界最先进ASM公司EP2000型单片外延设备，高温下氯硅烷与H<,2>发生反应，分解出的Si原子在原子级洁净的单晶片上通过物理运输和化学结合，外延一层或多层晶格与原单晶匹配的薄膜，通过时...; 关键词：

冒泡瓶高液位安全互锁装置及方法: 本发明提供了一种冒泡瓶高液位安全互锁装置及方法，所述冒泡瓶高液位安全互锁装置包括冒泡瓶主体、液位计、控制装置以及液位控制模块；液位计包括磁簧开关，出口管路上固接有气动阀；工作组件或感应组件包括环形磁铁以及浮球，环形磁铁设...; 贺东升孟祥鹏