集成光电子学国家重点联合实验室
- 作品数：103 被引量：198H指数：8
- 相关作者：张彤孙伟李德辉郑伟程澎更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
- 朱育清杨沁清
- 三种气敏特性分析方法的对比研究
- 随着材料合成技术的进步,各种新型的气敏材料被不断地开发报道,这些材料通常具有高的比表面积、有序的孔道分布、良好的电信号传输能力等特点,因此表现出高灵敏度、快响应恢复及良好的稳定性、选择性等性质,从而成为了气敏研究的热点....
- 刘爽张宇鹏吕凯波阮圣平刘彩霞李昕刘聪
- 关键词：气敏材料性能参数
- 文献传递
- 半导体聚合物纳米荧光探针的制备及生物医学应用
- 吴长锋
- 关键词：纳米探针生物传感
- lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量子阱的价带结构及状态密度
- 运用能量表象方法计算了lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量于阱的能带结构和状态密度，分析了应变补偿效应对其能带结构和状态密度的影响，并讨论了有关参量的选择。
- 马春生金智
- 用于高速GaAsIC在片检测的电光取样系统
- 1994年
- 目前直接电光取样技术是在片检测砷化镓高速集成电路内部动态特性的最好方法。我们建立了半导体激光器电光取样系统，测试了梳状信号发生器输出的４３．７ｐｓ的电脉冲信号以及频率５ＧＨｚ的微波信号，并测试了频率３ＧＨｚ的微波信号的位相移动或时间延迟以及铁氧体微波移相器的静态特性曲线，这个系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部动态特性在片检测。
- 贾刚衣茂斌孙伟刘宗顺曹杰高鼎三
- 关键词：高速集成电路半导体激光器
- 1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件被引量：3
- 1998年
- 本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．
- 罗毅文国鹏孙长征李同宁杨新民王任凡王彩玲金锦炎
- 关键词：光通信半导体激光器EA调制器
- LP-MOCVD法制备高质量InP薄膜被引量：1
- 1993年
- 本文报导以国产三甲基铟(TMIn)和进口的磷烷(PH_3)为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.
- 陈佰军杨树人刘宝林王本忠刘式墉
- 关键词：LP-MOCVD磷化铟
- 铒镱共掺聚合物波导放大器的特性模拟及波导制备
- 采用以配合物En0.0Yb0.7(DBM)3MA作为客体的两种掺杂型聚合物PMMA-GMA/Er0.3Yb0.7(DBM)3MA和SU-8/En0.3Yb0.7(DBM)3MA作为有机铒镱共掺波导放大器(EYCDWA)的...
- 李彤陈聪王英瑜张丹齐飞林权张大明
- 关键词：数值模拟增益特性
- 文献传递
- 时分光交换用InGaAsP/InP量子阱双稳激光器
- 介绍了自行设计并研制成功的时分光交换用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱双稳激光器的部分特性。
- 张权生石志文
- 关键词：量子阱激光器
- 模拟式360°线性移相器原理与应用被引量：5
- 2000年
- 介绍了模拟式 360°线性移相器的基本原理及优化设计方法 ,分析和讨论了主要技术指标的物理意义和技术规范。利用优化设计方法设计的 360°线性移相器线性度优于± 1 .77% ,工作带宽50 0 MHz。
- 田小建刘悦张大明衣茂斌
- 关键词：线性度微波器件
