山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所
- 作品数：137 被引量：245H指数：7
- 相关作者：庄惠照艾玉杰田德恒王强刘亦安更多>>
- 相关机构：山东大学物理学院济南大学信息科学与工程学院吉林大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 氨化Si基Ga_2O_3/Ti制备GaN纳米线被引量：3
- 2007年
- 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Ti薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（xRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米棒的尺寸在50～150nm之间。
- 孙莉莉薛成山艾玉杰孙传伟庄惠照张晓凯王福学陈金华李红
- 关键词：磁控溅射氨化GAN薄膜TI
- 磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO_2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性被引量：4
- 2005年
- 采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心。
- 石礼伟李玉国王强薛成山庄惠照
- 关键词：磁控共溅射微观结构光致发光
- 全自动变频调速恒压供水系统的研制被引量：3
- 1997年
- 采用交流电机变频调速技术，研制出全自动恒压供水系统．应用表明，该系统在节能、保持水质、水压平稳性及自动化等方面，大大优于传统供水方式。
- 曹文田裴素华熊光英薛成山
- 关键词：自动控制供水系统变频调速
- 高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究被引量：1
- 1998年
- 用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。
- 赵善麒李天望裴素华
- 关键词：电子束辐照功率半导体器件退火晶闸管
- 碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)被引量：1
- 2003年
- 概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。
- 王强李玉国石礼伟孙海波
- 关键词：碳化硅宽带隙半导体材料光电子学微电子
- 利用磁控溅射及热氧化制备ZnO纳米棒及其光致发光特性被引量：3
- 2005年
- 在Si(111)衬底上热氧化射频磁控溅射金属锌并经退火处理后,成功制备出ZnO纳米棒。用XRD,SEM和TEM对样品的晶体结构、表面形貌进行了研究。经PL谱分析表明,在波长为280 nm的光激发下,在372 nm处有强近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射。
- 李玉国薛成山庄惠照石礼伟张洁珊曹玉萍孙钦军
- 关键词：纳米棒磁控溅射热氧化光致发光
- Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性被引量：2
- 1998年
- 利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是制造快速晶闸管的一条新途径。
- 裴素华赵善麒薛成山江玉清孟繁英
- 关键词：耐压特性晶闸管掺杂
- Ga在SiO_2-Si界面扩散特性的分析被引量：1
- 1998年
- 利用元素Ga其Dsio2＞＞DS的特点，实现了SiO2／Si中扩散，使基区得到了理想的浓度分布；但经热氧化后，基区表面的浓度值有明显下降趋势。从而表明Ga在SiO2－Si界面，具有两种相反的扩散倾向。
- 裴素华程道平
- 关键词：镓扩散
- Au／SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备
- 2009年
- 室温下用磁控溅射法在Si（111）衬底上生成Au／SiO2复合纳米颗粒膜，并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀（直径约为70nm）的Au纳米点，从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板，然后，将Au催化剂模板在1100℃下退火处理，生成纳米线，SEM和TEM测试，制备的SiO2纳米线直径约为100nm，长度约为4μm，表面光滑，直且粗细均匀。
- 李玉国卓博世张敬尧崔传文张月甫扬爱春
- 关键词：磁控溅射
- 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性被引量：1
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
- 薛成山吴玉新庄惠照田德恒刘亦安何建廷艾玉杰孙莉莉王福学
- 关键词：氮化镓纳米线
