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西安理工大学理学院应用物理系: 作品数：201 被引量：755H指数：16; 相关作者：吕惠民余明斌闫志巾陈素果崔静雅更多>>; 相关机构：西北农林科技大学理学院应用物理系西北农林科技大学理学院中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学生物学机械工程更多>>

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大学物理实验教学方法的思考与实践: 针对大学物理教学各个环节中存在的问题进行了分析，讨论了问题存在的原因;提出了大学物理教学中采取的教学态度和教学手段，阐述了各个环节的做法和益处;介绍了实际运用后的良好效果。; 解光勇施卫马德明张显斌; 关键词：大学物理实验教学教学方法教学效果教学态度; 文献传递

SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析被引量：4: 2006年; 将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.; 高勇刘静马丽余明斌; 关键词：功率二极管反向恢复漏电流

物理学中广泛适用的对称性被引量：2: 1999年; 从对称性概念、原理、方法、对称与守恒的关系等方面对对称性作了多维分析，体现出物理学中对称性的广泛适用性．; 唐远河刘汉臣; 关键词：对称性物理学

高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象被引量：30: 1999年; 本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．; 施卫梁振宪; 关键词：砷化镓光电导开关半导体光电器件

热电偶技术及其温差直接发电的应用分析: 2013年; 温差直接发电技术是一种基于塞贝克效应直接将热能转化为电能的新型发电技术。从热电偶的工作原理入手,讨论利用热电偶产生电能时影响发电性能指标的相关因素,分析国内外相关技术的研究状况及其发展趋势。; 田亦凡解光勇翁婷玥; 关键词：温差电热电偶发电技术

Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse被引量：1: 2003年; Gallium arsenide (GaAs) photoconductive semiconductor switches (PCSS's) with a 1.55mm gap spacing trigged by 1553nm femtosecond fiber laser pulse is presented.The switches are biased with 3.33～10.3kV/cm and irradiated by femtosecond fiber laser operated at a wavelength of 1553nm with pulse width of 200fs and pulse energy of 0.2nJ.The experiments show that,even if the semi-insulating GaAs photoconductive switch operates under the electrical field of 10.3kV/cm,it will be still linear response,and a clear corresponding output electric pulse with the peak voltage of 0.8mV is captured.From the weak photoconductivity on laser intensity,photoabsorption mediated by EL2 deep level defects is suggested,as the primary process for the photoconductivity.; 施卫贾婉丽

V形三能级原子的辐射压力和激光冷却被引量：1: 2011年; 研究了压缩真空中V形三能级原子在单色行波场中的辐射压力和激光冷却.从系统的哈密顿量出发,利用玻恩-马尔科夫近似,推导出了原子的光学布洛赫方程.利用绝热近似,给出了平均辐射压力的表达式.通过量子回归定理和爱因斯坦关系,给出了系统所达到的平衡温度的表达式.讨论了量子相干强度、平均光子数和拉比频率对原子的自发辐射压力和冷却的最终温度的影响.结果表明低于多普勒极限的温度可以获得.; 张琴金康唐远河屈光辉; 关键词：压缩真空量子干涉

温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)被引量：1: 2014年; 在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。; 马丽谢加强陈琳楠高勇; 关键词：温度特性

光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析被引量：17: 2007年; 利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分别是载流子发生了谷间散射和空间电荷电场屏蔽.; 贾婉丽施卫纪卫莉马德明; 关键词：光电导开关载流子寿命

常规单晶硅太阳电池在低倍聚光条件下应用研究被引量：19: 2003年; 利用常规单晶硅光伏电池 ,在进行输出特性研究的基础上 ,设计研制出带有非对称复合抛物面聚光器的光伏发电系统。该系统利用聚光器的有效聚光比随季节的变化 ,使光电池上接收到的太阳辐射量全年相对均衡。; 苑进社; 关键词：单晶硅太阳电池光伏发电

西安理工大学理学院应用物理系

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