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中微半导体设备(上海)股份有限公司

作品数：1,064 被引量：1H指数：1
相关机构：南昌中微半导体设备有限公司中国电子技术标准化研究院北京北方华创微电子装备有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,058篇专利
  • 2篇标准
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 129篇自动化与计算...
  • 103篇电子电信
  • 90篇文化科学
  • 85篇金属学及工艺
  • 40篇理学
  • 36篇电气工程
  • 27篇经济管理
  • 18篇一般工业技术
  • 16篇化学工程
  • 9篇交通运输工程
  • 8篇石油与天然气...
  • 7篇建筑科学
  • 6篇机械工程
  • 5篇医药卫生
  • 4篇环境科学与工...
  • 3篇天文地球
  • 2篇水利工程
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇矿业工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 254篇等离子体
  • 212篇刻蚀
  • 162篇基片
  • 148篇晶圆
  • 134篇半导体
  • 126篇气体
  • 96篇等离子
  • 83篇射频
  • 75篇零部件
  • 75篇反应气体
  • 74篇静电
  • 65篇等离子体刻蚀
  • 64篇组件
  • 58篇电极
  • 53篇污染
  • 52篇处理器
  • 47篇真空
  • 47篇射频电源
  • 46篇加热器
  • 44篇等离子体处理

机构

  • 1,064篇中微半导体设...
  • 19篇南昌中微半导...
  • 2篇中国电子技术...
  • 2篇上海微电子装...
  • 2篇上海芯元基半...
  • 2篇北京北方华创...
  • 1篇北京大学
  • 1篇江苏卓远半导...
  • 1篇东莞市中镓半...
  • 1篇浙江晶盛机电...
  • 1篇中电鹏程智能...

作者

  • 1篇张兴

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 252篇2024
  • 239篇2023
  • 170篇2022
  • 218篇2021
  • 103篇2020
  • 82篇2019
共 1,064 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种去除半导体反应腔内金属污染的方法
本发明公开了一种去除半导体反应腔内金属污染的方法，包括：所述反应腔的内侧壁上具有金属污染物，向所述反应腔内通入碳氟气体，碳氟气体在反应腔的内侧壁形成碳氟聚合物，所述金属污染物吸附碳氟聚合物；所述金属污染物吸附碳氟聚合物之...
郭盛陈星建
静电吸盘及其制作方法与等离子体处理装置
本发明提供一种静电吸盘及其制作方法以及可应用该静电吸盘的等离子体处理装置。其中，所述静电吸盘包括：基座；涂覆于所述基座上方的底部涂层，所述底部涂层至少包括两层涂层，该两层涂层具有不同的孔隙率；涂覆于所述底部涂层上方的电极...
贺小明陈星建郭盛段蛟倪图强尹志尧
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一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法
本发明公开了一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法，包含：步骤1，将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，通入第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至静电吸盘表面；步骤2，采用氮气流吹扫；步骤3，通入第二反应...
郭盛陈星建倪图强
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一种用于真空处理装置的静电夹盘维护装置及维护方法
本发明提供一种用于真空处理装置的静电夹盘维护工具，包括：支撑底板，所述支撑底板上表面固定有一个旋转基座，一个连接杆，所述连接杆包括第一端连接到一个压力杆，第二端连接到所述旋转基座上，使得旋转臂围绕所述旋转基座作圆周运动，...
陈星健贺小明魏强李一平
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一种低温刻蚀的方法及装置
本发明公开了一种基片的低温刻蚀方法，所述基片包括介质材料，所述方法包括：a)将基片放置在一腔体的基座上，所述基座包括其中具有流动的冷却剂的冷却通道，b)通过冷却剂将基片冷却到一冷却温度，所述冷却温度小于等于‑20℃，c)...
倪图强 杜若昕
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旋转桶
1.本外观设计产品的名称：旋转桶。;2.本外观设计产品的用途：用于气相沉积设备中支撑基片托盘。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
王栋辉郑振宇张昭丁伟
一种边缘环高度测量装置及方法
本发明提供了一种边缘环高度测量装置及方法，包括放在静电吸盘上的带有定位点的承载盘，以及承载盘上的成像设备，通过成像设备多次获取边缘环的图像，然后进行数据处理后计算边缘环的高度或者厚度变化，变化数据有利于对边缘环损耗的调整...
蔡楚洋吴狄连增迪
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一种晶片传输方法
本发明提供一种晶片传输方法，在进行传输之前，进行第一腔室和第二腔室的气压的控制，使得当前放置腔室的气压值大于目的的气压值，进而，打开门阀，将晶片从当前放置腔室传输至目的腔室。该方法中，晶片所在的腔室中的气压高于待传送的腔...
倪图强陈星建周旭升
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改善刻蚀对称性的等离子处理装置及调节方法
本发明公开一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置，该装置包含等离子体反应腔，该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环，限制环下设有与限制环射频耦合的接地环；接地环与限制环之间设有间隔...
吴磊梁洁叶如彬浦远杨金全徐朝阳
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一种基座、化学气相沉积装置及处理系统
本发明公开了一种基座、化学气相沉积装置及处理系统，该基座包含：基片托盘，用于承载基片，包括内盘和外盘，所述内盘嵌接在所述外盘上；所述基片可放置在所述内盘上方，且所述基片在所述内盘上的投影面积大于所述内盘的上表面积；第一支...
张昭汪国元
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