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英芬能技术北美公司

作品数：56 被引量：0H指数：0
相关机构：国际商业机器公司株式会社东芝更多>>

合作机构

文献类型

  • 56篇中文专利

主题

  • 14篇半导体
  • 12篇电路
  • 10篇熔丝
  • 10篇集成电路
  • 10篇半导体器件
  • 9篇存储器
  • 8篇晶体管
  • 7篇电容
  • 7篇芯片
  • 6篇导体
  • 6篇电介质
  • 6篇电容器
  • 6篇熔断
  • 6篇介质
  • 6篇绝缘
  • 6篇沟槽
  • 5篇淀积
  • 5篇沟道
  • 4篇粘附
  • 4篇粘附力

机构

  • 56篇英芬能技术北...
  • 54篇国际商业机器...
  • 2篇株式会社东芝

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
  • 16篇2004
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 16篇2001
  • 2篇2000
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
形成可熔断连接的方法
在集成电路内形成可熔断连接的方法，包括在一最后的金属层(38)上形成可熔断连接(40)。可熔断连接可以和一个键合焊盘区42同时形成。一层钝化层(44)被淀积上，随之构图以使键合焊盘区和可熔断连接的表面(46，48)被暴露...
汉斯-乔其穆·巴斯莱奥德·G.·波莱尔杰拉尔德·R.·弗里斯麦克尔·斯蒂特
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具有自复位指针的动态锁存接收器
一种动态锁存接收器装置包括一系列并行安置的用来顺序锁存在一单独数据线上串行通信的数据信号的数据锁存装置。该装置包括第一指针信号发生器,每一个所产生的第一指针信号相应于一特定的锁存装置并且在时间上与在先产生的第一指针信号相...
桐畑外志昭杰哈德·缪勒戴维·R·汉森
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双镶嵌结构中的金属－绝缘体－金属电容结构及制造方法
本申请涉及双镶嵌结构中的金属-绝缘体-金属(MIM)电容结构及制造方法。具体来说，本发明提供了一种MIM电容器结构以及制造该结构的方法，使用具有第一图案(216)和第二图案(218)的双镶嵌图案对半导体器件(200)的电...
宁先捷凯斯.洸汉.黄
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混合熔丝技术
在一个半导体集成电路晶片上设置多个用于不同目的不同类型的熔丝，其中激发一种类型的熔丝不会使另一种类型的熔丝失效。第一种类型的熔丝，例如激光激发熔丝主要用于修复片级的缺陷，而第二类型的熔丝，如电激发熔丝，用于修复把IC芯片...
查德拉瑟哈·纳拉岩肯尼思·阿恩特戴维·拉奇鲁浦阿克瑟尔·布林辛格加布里埃尔·丹尼尔桐畑外志昭
具有自复位指针的动态锁存接收器
一种动态锁存接收器装置包括一系列并行安置的用来顺序锁存在一单独数据线上串行通信的数据信号的数据锁存装置。该装置包括第一指针信号发生器，每一个所产生的第一指针信号相应于一特定的锁存装置并且在时间上与在先产生的第一指针信号相...
桐畑外志昭杰哈德·缪勒戴维·R·汉森
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制造动态随机存取存储器单元的工艺
包含深沟槽存储电容器的DRAM，具有部分位于沟槽侧壁上的有源晶体管器件。此侧壁对准于具有沿单个晶轴的结晶学取向的第一结晶学平面。制造工艺包含：(a)在衬底中制作深沟槽，(b)沿具有单个结晶学取向的沟槽侧壁形成小平面晶体区...
加里·布隆尔乌莱克·格略宁杰克·A·曼德尔曼卡尔·J·拉登斯
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具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作
制造集成电路器件的方法和结构：在衬底中制作存储器件，光刻制作栅窗口，在栅窗口中制作第一间隔，用第一间隔在衬底中制作条形窗口以对准条形窗口，在条形窗口中制作第二间隔，用第二间隔在衬底中制作隔离窗口，用绝缘材料填充隔离窗口，...
乌尔里克·格里宁卡尔·J·拉登斯
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制造栅导体层面上的空腔熔丝
空腔熔丝及制作方法包括提供浅沟槽隔离区上具有栅导体叠层的衬底、在衬底上制作氧化层、腐蚀穿过氧化层到衬底的电接触孔、用第一导电材料填充电接触孔、在最上氧化层中腐蚀图形、在氧化层和电接触上淀积第二导电层、整平导电层从而使导电...
肯尼思·C.·阿恩德阿克瑟尔·C·布林金格理查德·A·肯逖唐纳·R·克特查德拉瑟克哈·纳瑞安拉维库马·拉马查德兰托马斯·S·鲁浦森塞尔·K·斯里尼瓦萨恩
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自对准双段衬垫及其制造方法
一种形成覆盖第一和第二组半导体器件的双段衬垫的方法。该方法包括形成第一衬垫以及其的顶部上的第一保护层，第一衬垫覆盖第一组半导体器件；形成第二衬垫，第二衬垫具有覆盖第一保护层的第一部分、过渡部分以及覆盖第二组半导体器件的第...
托马斯·W.·戴尔方隼飞阎江
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制造沟槽动态随机存取存储器中电容器掩埋片的工艺
一种制造沟槽中的深沟槽电容器的工艺。此电容器包含沟槽上部区域中的颈圈和沟槽下部区域中的掩埋片。其改进包含，在制作沟槽上部区域中的颈圈之前，用诸如旋涂玻璃之类的非光敏的底层填充材料填充沟槽下部区域。此工艺可以包含下列步骤：...
乌莱克·格略宁卡尔·J·拉登斯德克·特本
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