中山市华南理工大学现代产业技术研究院
- 作品数：330 被引量：40H指数：4
- 相关机构：华南理工大学广东华创智能装备有限公司中山优感科技有限公司更多>>
- 发文基金：广州市科技计划项目广东省自然科学基金中山市科技计划项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程理学更多>>
- 底部填充物对CSP-LED芯片抗跌落性能研究被引量：1
- 2020年
- 为了提高芯片级封装发光二极管(CSP-LED)焊点疲劳寿命,利用有限元仿真软件ABAQUS模拟计算了CSP-LED芯片在跌落冲击载荷下焊点的塑性应变,并研究了裂纹拓展趋势。以焊点失效前跌落次数为指标,利用Coffin-Manson经验公式计算焊点寿命,研究了底部填充物对CSP-LED芯片在不同冲击载荷下焊点寿命的影响。结果表明,随着冲击载荷增大,焊点疲劳寿命减少,使用填充物能使芯片焊点寿命提高4~6倍,其影响通过跌落实验和仿真结果的对比得到了验证。
- 傅志红田有锵武宁杰郭鹏程王洪
- 应用于壳体焊接的辅助生产设备
- 本申请公开了应用于壳体焊接的辅助生产设备，包括机架、设于所述机架上用于内撑装夹待焊接壳体的内撑装夹装置、设于所述内撑装夹装置外侧的外夹装置，所述内撑装夹装置包括位于所述机架上端的固定支架、设于固定支架上的驱动部件、与所述...
- 张铁张建锋景玉军苏丹
- 文献传递
- 基于弱足COP特征的步态特征提取方法及跌倒风险判别系统
- 本发明涉及步态和足压数据分析领域，为基于弱足COP特征的步态特征提取方法及跌倒风险判别系统，系统包括足压信号预处理模块、弱足判定模块、特征提取模块、跌倒风险判定模块；足压信号预处理模块将输入的左右脚多通道的压力数据进行切...
- 舒琳宋镇徐向民胡国华
- 文献传递
- 一种VR应用性能及用户行为监控的方法
- 本发明公开了一种VR应用性能及用户行为监控的方法，通过编写Unity3D脚本，在相应位置挂载对应脚本，埋点实时采集VR应用在用户端上运行时的性能数据、异常崩溃信息和用户行为数据，及提供自定义事件功能，建立数据分析后台，对...
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- 文献传递
- 一种改进的Retinex图像去雾方法
- 本发明公开一种改进的Retinex图像去雾方法，其包括如下步骤：输入雾霾图像，根据新的表达式，首先应估算出n(x,y)并将其除去，由于n(x,y)属于大气光直接成像造成，变换平缓，属于低频部分，使用高斯滤波来进行估算n(...
- 葛鹏冠灵梅单译琳王洪
- 文献传递
- 撕脱型胶带自动张贴装置
- 撕脱型胶带自动张贴装置，包括支撑架、设于所述支撑架上用于缠设胶带和引导胶带传输的胶带轮组件、设于所述支撑架上用于将胶带压向被张贴工件表面的张贴头和用于切断胶带的切断机构，所述胶带轮组件将胶带传输张贴头处，所述撕脱型胶带自...
- 张铁袁瑜容景玉军张建锋苏丹
- 文献传递
- 基于TiN的GaN基HEMT无金欧姆接触电极的制备方法
- 本发明公开了基于TiN的GaN基HEMT无金欧姆接触电极的制备方法。该方法包括：光刻形成源漏电极图形；对源漏电极图形处的GaN基外延进行表面处理；沉积无金源漏电极金属层，剥离形成源漏电极；对沉积源漏电极后的GaN基HEM...
- 王洪李祈昕周泉斌
- 文献传递
- 具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS-HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延...
- 王洪陈迪涛周泉斌耿魁伟
- 机器人高速高精度运动轨迹规划方法、装置、设备及介质
- 本发明公开了一种机器人高速高精度运动轨迹规划方法、装置、设备及介质，所述方法包括步骤：通过时间最优轨迹规划，在参数空间优化求解机器人的运动参数，得到在参数空间表示的原始运动轨迹；分析机器人的振动信号，计算模态参数，并设计...
- 张铁张美辉邹焱飚
- 文献传递
- 一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法
- 本发明公开了一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法。所述器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，所述源漏电极靠近源极侧设置p‑GaN层，在所述p‑GaN层由中心向...
- 王洪高升廖碧艳李先辉
