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上海大学通信与信息工程学院新型显示技术及应用集成教育部重点实验室: 作品数：259 被引量：652H指数：9; 相关作者：许少鸿程兆年李春亚石继锋陈果更多>>; 相关机构：中国矿业大学材料科学与工程学院湖南大学信息科学与工程学院（软件学院）上海电力学院能源与环境工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

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基于超薄发光层及双极性混合间隔层的白光有机发光器件研究被引量：1: 2019年; 本文采用非掺杂超薄发光层及双极性混合间隔层结构,获得了高效、光谱稳定的白光有机发光器件.基于单载流子器件及单色蓝光有机发光器件的研究,确定了双极性混合间隔层的最佳比例;通过瞬态光致发光寿命研究,验证了不同发光材料之间的能量传递过程;得到的三波段和四波段白光有机发光器件的最高效率分别为52 cd/A (53.5 lm/W)和13.8 cd/A (13.6 lm/W),最高外量子效率分别为17.1%和11.2%.由于发光层不同颜色之间依次的能量传递结构,三波段白光有机发光器件的亮度从465到15950 cd/m^2时,色度坐标的变化?CIE仅为(0.005, 0.001);四波段白光有机发光器件的亮度从5077到14390 cd/m^2时,色度坐标的变化?CIE为(0.023, 0.012).; 俞浩健姚方男代旭东曹进田哲圭; 关键词：非掺杂

基于三基色的动态色温白光发光二极管照明光源被引量：43: 2011年; 照明光源的灯光质量对人体健康的影响受到了越来越多的关注。近几年伴随着大功率发光二极管发光效率的不断突破,已经达到甚至超过普通照明光源的发光效率。为进一步改善照明光源质量,通过色温的变化实现类太阳光色温变化的智能光源,采用红绿蓝三基色发光二极管,基于理论计算按照不同比例的三基色搭配,在实验中测试得到一个不同色温配比的数据库。并将数据库植入控制程序中,然后通过控制程序自动调取不同配比,最终实现不同时间段色温动态变化的照明光源。实验结果表明,本照明光源可以实现从2300~7000 K的宽色温范围,实际色温与理论计算相符,基本实现了类太阳光动态色温变化趋势。; 殷录桥杨卫桥李抒智程备张建华; 关键词：光电子学照明光源发光二极管

非晶InGaZnO在薄膜晶体管中的应用: 薄膜晶体管(TFT)是现今主流平板显示(包括AML,CD和AMOLED)不可或缺的驱动器件。目前显示器件中使用的主要是非晶硅(α-Si)TFT,但α-Si-TFT迁移率低(＜1 cm2/Vs),无法满足大尺寸显示器发展要...; 张杰吴萍吕建国李喜峰叶志镇

基于指数拟合的半导体瞬态热学测试分析方法被引量：4: 2015年; 根据瞬态热测试结果反推结构函数法的算法步骤通常包括数据拟合、平滑、求导、反卷积和网络结构转换,其中拟合和平滑分两步实现。在后续数据处理中,由于实际的测试数据信号含有很多未知噪声,往往会导致病态或不适定问题,所以在获得最终结构函数之前需要对测试数据进行去噪平滑处理。采用在原始数据理论数学模型基础上建立起来的利用最小二乘法拟合进行的数据平滑方法,此方法既省去了测试数据因寄生误差而必须进行的拟合操作,又能对含噪瞬态响应数据进行平滑,从理论建模分析和实际测试数据的分析及应用均可以看出该方法是有应用价值的。; 杨连乔陈伟阙秀福张建华; 关键词：结构函数不适定问题

表面化学处理和退火对p-GaN/ZnO:Ga接触特性的影响被引量：5: 2010年; ZnO∶Ga(GZO)透明电极沉积在p-GaN表面,用作透明电流扩展层。直接沉积在p-GaN上的p-GaN/GZO存在较大的势垒,容易形成肖特基接触,而良好的欧姆接触对功率LED器件至关重要。为了降低接触势垒,采用盐酸和氢氧化钠溶液对GaN表面进行去氧化层处理,并对p-GaN/GZO进行退火处理,研究表面处理和退火对p-GaN/GZO接触特性的影响。研究表明:碱性溶液处理有利于降低接触势垒;退火处理后,接触势垒略有增加。; 王书方李喜峰张建华; 关键词：P-GAN 接触特性

基于Leap Motion的三维动态手指姿势识别被引量：8: 2016年; 为实现基于运动轨迹信息的动态手指姿势的识别,促进人机交互和虚拟现实交叉领域的发展,介绍了一种基于Leap Motion的三维(3D)空间内的指势关键特征点轨迹识别的方法。将Leap motion controller获取的模型化的手部信息经过手部骨架算法提取出手部骨架目标,然后,利用细化算法得到手指直线示意图,并提取指势关键特征点及运动轨迹。利用支持向量机(SVM)对3D基本动态指势进行识别和评估。实验结果表明,该方法能够在较为复杂的3D空间内,即使手部出现自遮挡的情况下,实现动态指势的识别,准确率较高,稳健性强。; 严利民杜斌潘浩郭强; 关键词：图像处理人工智能关键特征点支持向量机

晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究被引量：3: 2010年; 以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。; 罗翀李娟李鹤孟志国熊绍珍郭海成张志林; 关键词：多晶硅薄膜

暗电流注入瞬态响应方法研究OLED阴极修饰层的特性: 殷正元朱文石冠杰张沛; 关键词：有机电致发光器件迁移率

P型掺杂有机发光器件界面电荷研究: 采用C-V测量对OLED有机/有机界面电荷进行了研究，通过有机层厚度、测量频率对OLED转变电压的影响，研究了OLED有机/有机界面电荷的变化，以及p型掺杂对OLED有机/有机界面电荷的影响，结果表明，掺杂体系介电常数的...; 张勇曹进魏斌刘记忠廖英杰; 关键词：有机发光器件界面电荷介电常数 C-V测量; 文献传递

基于人脸关键点与增量聚类的多姿态人脸识别被引量：9: 2019年; 人脸姿态变化复杂且对人脸识别性能影响明显,提出了一种融合LCCDN (LSTM and CNN based Cascade Deep Network)与增量聚类的多姿态人脸识别方法。采用LCCDN模型定位人脸关键点,利用长短时记忆网络(LSTM)的记忆功能寻找人脸各关键点在空间上的全局上下文的依赖关系对人脸关键点初始化,并通过卷积神经网络模型,采用由粗到精的策略;定位人脸关键点;以人脸关键点作为人脸朝向描述子,同时为适应人脸姿态不断地动态更新,采用基于熵诱导度量机制的增量聚类方法,对头部姿态进行动态增量聚类,构建人脸姿态池。在此基础上,通过建立不同姿态的人脸识别分类模型实现多姿态人脸识别,在CAS-PEAL-R1、CFP和Multi-PIE三个数据集上的人脸识别准确率分别达到96.75%,96.50%,97.82%。通过与同类人脸识别方法的客观定量对比,实验结果表明所提方法有效、可行。; 吴晓萍管业鹏; 关键词：图像处理人脸识别增量聚类多姿态

上海大学通信与信息工程学院新型显示技术及应用集成教育部重点实验室

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