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株式会社瑞萨科技
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2005
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2004
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半导体晶片及其制造方法
提供可使MOS晶体管的电流驱动力充分提高的半导体晶片及其制造方法。在构成SOI层(32)的形成基体的SOI层用晶片上形成结晶方位<100>的切口(32a)和结晶方位<110>的切口(32b),在切...
岩松俊明
前田茂伸
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流处理装置、流处理方法和数据处理系统
本发明提供一种流处理装置、流处理方法和数据处理系统。与数据流区分而另行准备控制用流,根据控制用流而先进行程序和参数的更新。在对流处理装置内的程序和参数进行存储的存储器中准备双缓存区域。还预先记载输入到控制用流中的数据流的...
中田启明
汤浅隆史
泉原史幸
秋江一志
木村基
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半导体存储装置
对应于各字线设置根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动来调整字线选择时的电压电平的电平移动元件。该电平移动元件降低驱动器电源电压,并向选择字线上传输。另外,代替该电平移动元件,也可以设置根据存储器单元晶体管的阈值电压电平来...
新居浩二
大林茂树
塚本康正
薮内诚
文献传递
半导体制造方法
在对具有低介电常数层的半导体器件进行的非接触划片工艺中,如下减少或防止了层中诸如有缺陷形状或变色之类的较差外观的发生。在形成于半导体晶片的主表面上的层间绝缘层中形成低介电常数层。从晶片的背面将激光束聚焦在晶片的内部,以便...
阿部由之
宫崎忠一
文献传递
非易失性半导体存储器件
本发明提供一种能够减少擦除电流的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件的存储单元具有形成在半导体衬底上的源极区域和漏极区域。然后,在源极区域和漏极区域之间的半导体衬底上隔着栅极绝缘膜形成有选择栅电极。在选择栅电极...
石丸哲也
岛本泰洋
安井感
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高频功率放大器
本发明提供一种高频功率放大器,用于极性环式发送器等,能够改善功率控制线性。在多级结构的基极偏置控制式高频功率放大器中,利用偏置电路(144),使得提供给初级晶体管(103)的基极偏置电流(Ia)的启动电压低于提供给第二晶...
松本秀俊
田上知纪
大部功
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半导体制造方法
在对具有低介电常数层的半导体器件进行的非接触划片工艺中,如下减少或防止了层中诸如有缺陷形状或变色之类的较差外观的发生。在形成于半导体晶片的主表面上的层间绝缘层中形成低介电常数层。从晶片的背面将激光束聚焦在晶片的内部,以便...
阿部由之
宫崎忠一
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半导体存储器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法,抑制SRAM单元的形成面积的增大并谋求工作的稳定。在SRAM单元的存取MOS晶体管Q5的栅电极(33)上,形成与字线连接的接触(45)。接触(45)穿通元件隔离绝缘膜(14),抵...
平野有一
一法师隆志
前川繁登
新居浩二
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电源设备和半导体集成电路器件
本发明提供一种电源设备和半导体集成电路器件。其中涉及在使用PFC控制器的电源设备的轻负荷时大大提高效率。PFC控制器设置有电压-电流转换器。电压-电流转换器将从用于检测输出电压的电压电平的误差放大器输出的信号的电压转换成...
鲇川一仁
笠井宣利
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半导体芯片、模块及模块的组装方法、识别方法及环境设定方法
本发明的目的在于,提供一种能够以相同结构层叠为多层以组装成模块的半导体芯片。以预定的设定次数的旋转对称或者以与包含所述旋转对称及对称轴线的面对称地形成各端子组(31~36)的各端子。公共连接端子组(32,36)的各端子(...
佐藤知稔
根本义彦
高桥健司
秋山雪治
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