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流慧株式会社

作品数：15 被引量：0H指数：0
相关机构：国立大学法人京都大学国立研究开发法人物质·材料研究机构国立大学法人佐贺大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作机构

题名
作者

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 1篇理学

主题

  • 10篇氧化物
  • 9篇金属
  • 9篇半导体
  • 5篇氧化物半导体
  • 5篇半导体装置
  • 4篇载气
  • 4篇热反应
  • 3篇液滴
  • 3篇雾化
  • 3篇金属氧化物
  • 3篇刚玉
  • 3篇掺杂
  • 3篇掺杂剂
  • 2篇导体
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电子装置
  • 2篇气化
  • 2篇迁移率
  • 2篇基板
  • 2篇功率器件

机构

  • 15篇流慧株式会社
  • 6篇国立大学法人...
  • 4篇国立研究开发...
  • 3篇国立大学法人...

年份

  • 11篇2019
  • 4篇2018
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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相关度排序
晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法
根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×10<Sup>18</Sup>/cm<Sup>3</Sup>或更高的载流子浓度；...
大岛佑一藤田静雄金子健太郎嘉数诚河原克明四户孝松田时宜人罗俊实
文献传递
p-型氧化物半导体及其制造方法
本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材...
藤田静雄金子健太郎织田真也人罗俊实
文献传递
成膜方法、导电性层压结构体及电子装置
本发明提供一种成膜方法、导电性层压结构体及电子装置。本发明的成膜方法简单且容易地、在工业上有利地对基材密合性良好地形成导电性金属氧化膜。在通过将对含有金属的原料溶液进行雾化或液滴化而生成的雾或液滴利用载气运送到基体，接着...
柳生慎悟井川拓人人罗俊实
文献传递
半导体装置
本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p...
杉本雅裕髙桥勲四户孝人罗俊实
文献传递
结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统
本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧...
德田梨绘织田真也人罗俊实
文献传递
p-型氧化物半导体及其制造方法
本申请提供了具有优异的导电性的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。通过使包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的原料溶液雾化产生喷雾的雾化步骤；利用载气将喷雾运载至基材表面附近的运载步骤...
藤田静雄金子健太郎人罗俊实谷川幸登
文献传递
半导体装置
本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导...
杉本雅裕髙桥勲四户孝人罗俊实
文献传递
用于制造结晶膜的方法
根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体...
大岛佑一藤田静雄金子健太郎嘉数诚河原克明四户孝松田时宜人罗俊实
文献传递
结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法
根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、9μm<Sup>2</Sup>或更大的表面积和小于5×10<Sup>6</Sup>cm<Sup>‑2</Sup>的位错密度。
大岛佑一藤田静雄金子健太郎嘉数诚河原克明四户孝松田时宜人罗俊实
文献传递
成膜方法
为了提供具有工业优势质量的薄膜的目的，本发明提出了一种成膜方法。本发明的方法的实施方式包括：将含有非质子溶剂(可以是内酯或内酰胺)的原料溶液变成雾或液滴(雾化步骤)，将雾或液滴携带至设置在成膜室的基体上(雾的运送步骤)，...
香取重尊广木一亮织田真也人罗俊实
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