2025年1月25日
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成都森未科技有限公司
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55
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中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
电子科技大学
复旦大学
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中国振华集团永光电子有限公司(...
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复旦大学
作者
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杨洪强
1篇
易波
1篇
王鹏
1篇
黄伟
传媒
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微电子学
年份
7篇
2024
16篇
2023
12篇
2022
8篇
2020
12篇
2019
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一种实现功率半导体器件元胞区绝对浮空的沟槽隔断结构
本申请涉及半导体制造领域,特别是一种实现功率半导体器件元胞区绝对浮空的沟槽隔断结构,其包括多个并排分布的元胞单元,每个元胞单元包括栅极沟槽,所述栅极沟槽的两端连接有隔断沟槽,两个隔断沟槽之间与栅极沟槽构成封闭的浮空区,所...
王艳
蒋兴莉
王思亮
胡强
文献传递
基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构
本申请属于半导体封装以及功率模块领域,特别是基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构,包括三相DBC结构,所述三相DBC结构的外部固定有框架,所述三相DBC结构的正面均焊接有多个芯片,三相DBC结构的背面直接焊接在散热器...
田绍据
严明会
秦潇峰
胡强
蒋兴莉
王思亮
功率模块
1.本外观设计产品的名称:功率模块。;2.本外观设计产品的用途:用于控制及驱动的功率模块。;3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
李润
王思亮
张瑜
蔡承君
胡敏
孟繁新
岳兰
一种自对准沟槽栅结构IGBT
本申请涉及半导体制造领域,特别是自对准沟槽栅结构IGBT,包括衬底,所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a,衬底上部设置有多根沟槽,且所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a,沟槽内设置有第一绝缘介质层,第一绝缘介质...
胡强
唐茂森
马克强
王思亮
蒋兴莉
一种自对准微沟槽结构及其制备方法
本发明涉及一种自对准微沟槽结构及其制备方法,微沟槽结构包括:具有相对的第一表面和第二表面的衬底,布置于衬底的第一表面的第一半导体;若干开设于第一半导体和衬底的栅极沟槽;覆盖栅极沟槽内表面的第一绝缘介质层以及布置在栅极沟槽...
马克强
王思亮
杨柯
李睿
刘粮恺
胡敏
向奕
一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法
本申请涉及半导体制造领域,特别是一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法,包括衬底,衬底上设置有体区,体区上设置有第二导电层,第二导电层中设置有第一绝缘介质层,第一绝缘介质层下方设置有第二绝缘介质层,第二绝缘介质层呈U形,第二...
胡强
金涛
秦潇峰
王思亮
蒋兴莉
文献传递
一种智能功率器件测试系统及方法
本发明涉及一种智能功率器件测试系统及方法,系统至少包括处理单元、电流监控单元、门极驱动单元和信号发生单元,电流监控单元、门极驱动单元和信号发生单元分别与处理单元,处理单元被配置为:基于电流监控单元采集的电流信号检测实时电...
熊向杰
杨丹丹
张佳莹
基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构
本申请属于半导体封装以及功率模块领域,特别是基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构,包括三相DBC结构,所述三相DBC结构的外部固定有框架,所述三相DBC结构的正面均焊接有多个芯片,三相DBC结构的背面直接焊接在散热器...
田绍据
严明会
秦潇峰
胡强
蒋兴莉
王思亮
文献传递
一种自对准分离栅极结构
本申请涉及半导体制造领域,特别是一种自对准分离栅极结构,其包括衬底,衬底上方设置有第二导电类型,衬底正面的上部设置有多根沟槽,且沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型,沟槽底部设置有第一绝缘层,第一绝缘层上方连接有第二绝缘...
胡强
杨柯
马克强
王思亮
蒋兴莉
一种自对准沟槽栅结构IGBT
本发明涉及一种自对准沟槽栅结构IGBT,至少包括衬底(100),所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a(101),所述衬底上部设置有至少一根沟槽,所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a(101),所述沟槽内设置有第...
胡强
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