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意法半导体(克洛尔2)公司

作品数：405 被引量：0H指数：0
相关机构：意法半导体(鲁塞)公司法国原子能及替代能源委员会意法半导体股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 405篇中文专利

领域

  • 81篇电子电信
  • 60篇自动化与计算...
  • 4篇电气工程
  • 3篇经济管理
  • 3篇机械工程
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 102篇电路
  • 94篇半导体
  • 89篇晶体管
  • 72篇感器
  • 72篇传感
  • 72篇传感器
  • 66篇绝缘
  • 60篇衬底
  • 58篇图像
  • 56篇集成电路
  • 47篇图像传感器
  • 42篇光电
  • 41篇二极管
  • 39篇光子
  • 38篇波导
  • 36篇光学
  • 35篇绝缘层
  • 34篇电容
  • 34篇芯片
  • 34篇光电二极管

机构

  • 405篇意法半导体(...
  • 47篇意法半导体(...
  • 17篇法国原子能及...
  • 15篇意法半导体股...
  • 14篇意法半导体(...
  • 8篇意法半导体(...
  • 5篇意法半导体国...
  • 4篇国家科学研究...
  • 4篇意法半导体 ...
  • 2篇巴黎-萨克雷...
  • 2篇原子能和能源...
  • 2篇国家科研中心
  • 2篇格勒诺布尔-...
  • 1篇原子能与替代...

年份

  • 50篇2024
  • 67篇2023
  • 40篇2022
  • 48篇2021
  • 55篇2020
  • 50篇2019
  • 49篇2018
  • 17篇2017
  • 25篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2012
共 405 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
包括电荷存储区的像素电路
本公开的实施例涉及包括电荷存储区的像素电路。像素电路包括光转化区、绝缘的垂直电极以及至少一个电荷存储区。光转化区属于半导体衬底的第一部分，并且每个电荷存储区属于衬底的第二部分，该第二部分通过绝缘的垂直电极与衬底的第一部分...
B·罗德里格斯·冈卡尔维斯F·拉兰尼
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基于相变材料的开关
本说明涉及一种基于相变材料的开关，包括：相变材料区域；加热元件，与相变材料区域电绝缘；以及一个或多个柱状件，在相变材料区域中延伸，一个或多个柱状件由具有比相变材料的导热率大的导热率的材料制成。
B·雷格V·普亚尔S·蒙弗莱A·弗勒雷P·卡瑟琳
具有改进的电荷存储容量的集成成像设备
本公开的实施例涉及具有改进的电荷存储容量的集成成像设备。一种集成成像设备包括像素，该像素具有延伸到衬底中的沟槽。沟槽涂覆有绝缘体并且填充有包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域的堆叠。第一和第二多晶硅区域通过绝缘材料的层彼此...
A·苏勒F·罗伊
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图像传感器
本公开的实施例涉及图像传感器。一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体层，具有前侧和背侧；电容性绝缘壁，从所述半导体层的所述前侧延伸到所述半导体层的所述背侧，所述电容性绝缘壁包括第一绝缘壁和第二绝缘壁；导体或半导体材料的...
L·盖伊 F·拉兰尼 Y·昂力翁 F·居亚代 P·福特内奥 A·塞纳德
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用于长时间常数电路级的读取电路和相应的读取方法
本申请涉及用于长时间常数电路级的读取电路和相应的读取方法。一种用于电荷保持电路级的读取电路，配备有：连接在第一偏置端子和浮置节点之间的存储电容器；以及连接在浮置节点和参考端子之间的放电元件，用于通过经由相应电介质的泄漏对...
A·康特E·卡斯塔尔多R·A·比安基F·拉罗萨
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集成光学传感器、成像系统以及电子设备
本公开的实施例涉及集成光学传感器、成像系统以及电子设备。一种集成光学传感器，其特征在于，包括钉扎光电二极管，集成光学传感器包括：半导体衬底，包括：第一半导体区域，具有第一导电类型；第二半导体区域，具有与第一导电类型相对的...
D·迪塔特
集成电路芯片
一种集成电路芯片，该集成电路芯片包括互连堆叠，该互连堆叠具有形成于其中的空腔，该空腔至少填充有一种第一材料，该第一材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性与形成该互连堆叠的材料的抛光选择性和/或蚀刻选择性相差超过10％。
S·珀蒂迪迪埃M·利萨特
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用于测量环境能源的功率水平的系统
本发明涉及一种测量单元，其包括：电气环境能量回收发电机；由发电机产生的电能的电容性存储的元件；电池；第一支路，其将发电机的输出节点耦合到电容性存储元件的第一电极；第二支路，其将电池的第一端子耦合到电容性存储元件的第一电极...
塞韦林·特罗许特斯特凡娜·蒙弗瑞塞巴斯蒂安·布瓦索
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具有宽带宽和降低的功率损耗的光耦合设备
本发明涉及具有宽带宽和降低的功率损耗的光耦合设备。光子集成电路包括位于两个连续互连金属层之间的光耦合设备。光耦合设备包括第一光学部分，第一光学部分接收具有横向磁分量和在基模中的横向电分量的光学信号。第二光学部分将光信号的...
S·盖尔贝C·鲍多特F·多芒吉
集成电路
一种集成电路，包括第一区，包括绝缘体上硅型的衬底，所述绝缘体上硅型的衬底包括在掩埋绝缘层上的半导体膜，所述掩埋绝缘层在载体衬底上；第二区，包括所述载体衬底和所述掩埋绝缘层但是不存在所述半导体膜；第一晶体管，在所述第二区中...
D·格兰斯基G·比达尔S·让诺
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