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广东德力光电有限公司

作品数：123 被引量：4H指数：2
相关机构：宁波天炬光电科技有限公司中国科学院华中科技大学更多>>
相关领域：电子电信农业科学文化科学一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 118篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 49篇芯片
  • 45篇LED芯片
  • 27篇倒装
  • 26篇衬底
  • 24篇发光
  • 21篇电极
  • 20篇倒装芯片
  • 19篇芯片结构
  • 17篇金属
  • 14篇阻挡层
  • 14篇光刻
  • 12篇电子阻挡层
  • 12篇散热
  • 12篇金属电极
  • 11篇光效
  • 11篇光阻
  • 10篇功率
  • 9篇钝化层
  • 9篇外延层
  • 9篇光刻胶

机构

  • 123篇广东德力光电...
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇五邑大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇宁波天炬光电...
  • 1篇佛山科学技术...
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国机械工程...
  • 1篇上海大学
  • 1篇中山大学
  • 1篇深圳市捷佳伟...
  • 1篇深圳市瑞丰光...
  • 1篇佛山市中山大...

作者

  • 2篇蔡勇
  • 1篇吴懿平

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇中国科技成果

年份

  • 3篇2024
  • 5篇2022
  • 25篇2021
  • 6篇2020
  • 10篇2019
  • 6篇2018
  • 12篇2017
  • 27篇2016
  • 20篇2015
  • 9篇2014
共 123 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型白光LED结构
本实用新型公开了一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的缓冲层、DBR层、n型半导体材料层、发光层、电子阻挡层、p型半导体材料层和透明...
叶国光郝锐罗长得
一种免焊线式LED芯片
本实用新型公开了一种免焊线式LED芯片，包括外延芯片、隔离层和焊料层，其特征在于：所述的外延芯片包括反射层、衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层和ITO层，在ITO层上形成有网状手指，其中N型层上设有N型电极...
叶国光
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一种AC-LED芯片及其应用
本发明公开了一种AC-LED芯片及应用该AC-LED芯片的高压AC-LED芯片，所述第一外延部和第二外延部之间等效正负并联连接，可以通交流电，与传统LED芯片相比，不需另置整流变压器，具有低成本和设计便利等优势；本发明通...
刘洋郝锐罗长得王波李方芳
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一种应力释放的GaN基发光二极管结构及制作方法
本发明公开了一种应力释放的GaN基发光二极管结构，包括蓝宝石衬底和GaN基外延层，其特征在于：所述蓝宝石衬底的生长面上设有纵横交错的条形隔离带或纵横交错的条形隔离沟槽，蓝宝石衬底的生长面上除隔离带或隔离沟槽以外的区域设置...
郝锐林振贤罗长得
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一种大功率倒装高压芯片
本实用新型涉及LED芯片技术领域，公开了一种大功率倒装高压芯片，包括衬底和设于衬底上的多个串联连接的GaN基外延层单元，GaN基外延层单元包括设于N型GaN层和P型GaN层，P型GaN层镀设有P型电极层，N型GaN层镀设...
易翰翔武杰郝锐李玉珠陈慧秋
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一种LED芯片的研切方法
本发明公开了一种LED芯片的研切方法，先将具有蓝宝石衬底的半导体器件上蜡、研磨、抛光，然后在蓝宝石衬底内部通过激光烧蚀得到图形化的烧蚀通道，再对所述半导体器件进行下蜡、清洗、切割、裂片。由于烧蚀后蓝宝石衬底晶体结构被破坏...
刘洋罗长得姜敏
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基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法
本发明公开了基于倒装芯片的封装热压工艺的热压系统及其使用方法，两个以上的图像化热压头能够同时应用于多个倒装芯片的封装热压，而能够分离于热压主体的热压头组件具有丰富的应用环境，能够随时更换的热压头组件能够对应于不同形状或类...
叶国光许德裕罗长得
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一种条形化Micro LED芯片
本实用新型涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种条形化Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型...
张洪安陈慧秋武杰易翰翔李玉珠
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一种应力释放的掺杂氧化锌导电薄膜的生长方法
本发明公开了一种应力释放的掺杂氧化锌透明导电薄膜的生长方法，其特征在于：包括在LED外延片上生长有三层掺杂氧化锌导电薄膜，掺杂氧化锌导电薄膜按生长顺序依次分为掺杂型ZnO接触层、掺杂型ZnO导电层和掺杂型ZnO粗糙层，所...
王波郝锐叶国光李方芳
一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法
本发明公开了一种应用复合掩膜的LED晶胞制造方法，包括在外延层上沉积复合掩模层，所述复合掩模层包括至少三层掩膜；在复合掩模层表面上形成光阻层，光阻层的厚度为1.5‑3.5微米；光阻层图形化；复合掩模层图形化；采用ICP的...
许德裕郝锐李玉珠
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