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山东华光光电子有限公司

作品数：311 被引量：67H指数：5
相关作者：于果蕾曲爽杨扬朱学亮更多>>
相关机构：山东大学上海蓝光科技有限公司国防科学技术大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 251篇专利
  • 30篇期刊文章
  • 24篇会议论文
  • 4篇标准
  • 2篇科技成果

领域

  • 72篇电子电信
  • 9篇理学
  • 5篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇语言文字

主题

  • 126篇激光
  • 111篇激光器
  • 90篇半导体
  • 79篇半导体激光
  • 77篇半导体激光器
  • 48篇发光
  • 43篇衬底
  • 28篇芯片
  • 27篇管芯
  • 25篇功率
  • 25篇封装
  • 24篇热沉
  • 24篇二极管
  • 23篇光效
  • 22篇GAN基LE...
  • 20篇光效率
  • 19篇电流扩展
  • 18篇光纤
  • 17篇欧姆接触
  • 17篇外延片

机构

  • 311篇山东华光光电...
  • 52篇山东大学
  • 2篇上海蓝光科技...
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇山东建筑大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中山大学
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇山东省标准化...
  • 1篇河北立德电子...
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇厦门三安电子...

作者

  • 20篇徐现刚
  • 13篇夏伟
  • 12篇黄柏标
  • 8篇潘教青
  • 8篇张晓阳
  • 8篇李树强
  • 8篇秦晓燕
  • 7篇于永芹
  • 6篇尉吉勇
  • 6篇周海龙
  • 5篇齐云
  • 5篇马德营
  • 4篇陈文澜
  • 3篇李沛旭
  • 3篇王翎
  • 3篇胡小波
  • 3篇蒋锴
  • 3篇于果蕾
  • 3篇曲爽
  • 3篇杨扬

传媒

  • 8篇光电子．激光
  • 6篇半导体技术
  • 5篇人工晶体学报
  • 4篇量子电子学报
  • 3篇中国激光
  • 3篇第六届中国国...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇稀有金属快报
  • 1篇中国新技术新...
  • 1篇2010年全...
  • 1篇第八届全国L...
  • 1篇第八届中国国...
  • 1篇第九届全国L...
  • 1篇第七届中国国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 35篇2016
  • 61篇2015
  • 27篇2014
  • 21篇2013
  • 29篇2012
  • 35篇2011
  • 40篇2010
  • 27篇2009
  • 12篇2008
  • 6篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2004
  • 5篇2003
  • 4篇2002
  • 2篇2000
共 311 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法
本发明涉及一种半导体发光器件的电流阻挡层，其特征在于，其一种半导体发光器件的电流阻挡层，包括在半导体外延层和在半导体外延层上具有图形化的介质扩散区域，在介质扩散区域内扩散有不与上述半导体外延层形成欧姆接触的介质离子，所述...
沈燕刘欢徐化勇
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一种提高发光效率的GaN基LED外延结构及生长方法
本发明涉及一种提高发光效率的GaN基LED外延结构及生长方法。该LED外延结构中衬底上由下至上依次有成核层、缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、P型结构，所述P型结构组成依次为插入层和P型GaN层或者P型GaN层、插入...
逯瑶曲爽王成新张义田龙敬
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一种半导体晶片减磨用重块
本实用新型提供了一种半导体晶片减磨用重块，该半导体晶片减磨用重块包括重块体，在重块体的上表面设有放置晶片的凹槽，凹槽的深度等于晶片所需的厚度与粘接层厚度之和。本实用新型在晶片减磨时，将晶片放置于重块体的凹槽内，当晶片减薄...
满忠斌娄娟
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6H－SiC基底反极性AlGaInP LED芯片
本发明公开了一种6H－SiC基底反极性AlGaInP LED芯片及其制作工艺。反极性AlGaInPLED芯片包括基底和基底上的外延层，以6H－SiC材料作为基底，外延层由上至下依次为N型AlGaInP层、发光层、P型Al...
徐现刚夏伟苏建
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一种贴片式激光器封装结构及其在光电电路中的封装方法
本发明公开了一种贴片式激光器封装结构，包括半导体激光器管芯和L型热沉；所述L型热沉，包括L型的负极层、L型的绝缘层和L型的正极层，在所述的L型的负极层的内表面设置有L型凹槽，所述的L型的正极层嵌入设置在所述的L型凹槽内，...
夏伟张秋霞左致远陈康
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一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法
本发明提供了一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法。该高出光率SiC衬底LED芯片包括SiC衬底、AlN缓冲层、UGaN层、N型GaN层、MQW层、P型AlGaN层和P型GaN层，在UGaN层和N型GaN层之间设有...
吴德华朱学亮曲爽张鸿月李树强徐现刚任忠祥
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一种管芯串联激光器封装方法
本发明提供了一种管芯串联激光器封装方法，包括以下步骤：(1)在过渡热沉的两个大面上蒸镀钛金层；(2)在过渡热沉的一个大面上蒸镀焊料层，所镀焊料层的面积应保证一个激光器巴条上的各个管芯焊接到过渡热沉上；(3)将一个激光器巴...
于果蕾房玉锁李沛旭汤庆敏徐现刚
MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm无铝量子阱激光器
设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积（MOCVD）进行外延生长,制作了100μm条宽,1 500μm腔长的808 ...
李沛旭夏伟李树强张新汤庆敏任忠祥徐现刚
关键词：量子阱激光器
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一种带指示光的光纤耦合半导体激光器及其封装方法
本发明公开了一种带指示光的光纤耦合半导体激光器，包括封装管壳、在封装管壳内安装有半导体激光器、部分反射镜、反射镜a、反射镜b、反射镜c、增益介质和倍频晶体；在半导体激光器出光方向上，由近而远设置部分反射镜和反射镜a；在部...
张然祥于果蕾李沛旭汤庆敏
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一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法
本发明提供了一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法，该芯片包括衬底、N型GaN、量子阱有源层、P型GaN、电流扩展层、金属反射镜和导电基板，在导电基板上制作有P电极，在衬底上设有直至N型GaN层的窗口，该窗口内各面蒸镀有...
沈燕徐现刚李树强夏伟任忠祥
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