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云南中科鑫圆晶体材料有限公司

作品数：102 被引量：4H指数：1
相关机构：云南鑫耀半导体材料有限公司昆明云锗高新技术有限公司中国科学院更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 89篇专利
  • 7篇标准
  • 6篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 8篇金属学及工艺
  • 6篇化学工程
  • 4篇理学
  • 3篇语言文字
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇环境科学与工...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 54篇单晶
  • 22篇晶片
  • 19篇锗单晶
  • 19篇VGF
  • 17篇锗
  • 16篇单晶生长
  • 12篇砷化镓
  • 12篇晶体
  • 8篇多晶
  • 8篇石英管
  • 8篇半导体
  • 7篇石英
  • 7篇装料
  • 7篇磷化铟
  • 7篇高纯
  • 6篇单晶片
  • 6篇放肩
  • 6篇保温
  • 6篇超高纯
  • 5篇熔体

机构

  • 102篇云南中科鑫圆...
  • 70篇云南鑫耀半导...
  • 34篇昆明云锗高新...
  • 4篇中国科学院
  • 2篇云南大学
  • 2篇有研光电新材...
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇广东先导先进...
  • 1篇南京中锗科技...
  • 1篇中锗科技有限...
  • 1篇云南东昌金属...
  • 1篇广东先导稀材...

作者

  • 1篇王茺

传媒

  • 3篇云南冶金
  • 1篇工业水处理
  • 1篇稀有金属与硬...
  • 1篇云南化工

年份

  • 1篇2025
  • 11篇2024
  • 15篇2023
  • 18篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 9篇2017
  • 11篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 8篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 102 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法
本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结...
刘得伟李宝学杨涛尹正雄赵伟周安祥陆贵兵普世坤
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一种锗熔体浮渣清除方法
一种锗熔体浮渣清除方法，涉及浮渣清除技术领域，尤其是一种锗熔体浮渣清除方法。本发明的方法瞬间改变炉内压力，使熔体液面在压力差的作用下发生对流，浮渣在热对流的影响下漂移至炉体中央，之后将锗单晶作为浮渣提出的工具，多次反复重...
李宝学包文东赵飞宇罗玉萍
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区熔提纯高纯锗晶体材料的装料容器
本实用新型涉及区熔提纯高纯锗晶体材料的容器。为双层石英舟，双层石英之间抽真空处理，然后填充石墨层，石英舟后端设置一个挡板，将石英舟后端隔离出一个杂质收集槽，杂质收集槽为单层石英结构，挡板上还设置了凹槽。产生的熔区比传统的...
包文臻任洋李学洋柳廷龙普世坤
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一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法
本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置及方法，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第...
韩家贤 韦华 何永彬 王顺金 吕春富 李国芳 刘吉才 唐康中
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去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法
本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，...
何杰肖祥江李苏滨惠峰李雪峰柳廷龙李武芳周一杨海超候振海囤国超田东
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制备13N超高纯锗单晶的方法及设备
一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小...
普世坤李学洋董汝昆惠峰柳廷龙张朋钟文赵燕包文瑧滕文
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磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法
磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺...
赵兴凯邱锋权忠朝韦华叶晓达柳旭徐仁勇刘文斌韩家贤王顺金李国芳
晶棒多线切割后的晶片脱胶清洗台
晶棒多线切割后的晶片脱胶清洗台，涉及工业应用领域。本实用新型包括主体、清洗系统、加热器、抽风口和喷淋管，清洗系统安装在主体中间，加热器安装在清洗系统下部，与清洗系统接触；抽风口安装在主体上部，位于清洗系统上方；喷淋管设置...
吕欣泽李国庆陈飞宏刘汉保唐开华彭兴奎束本文王茺杨德艳
VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法
VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法，属于VGF晶体生长技术领域，具体涉及一种用于VGF法真空生长超大直径晶体的石英管封焊的方法。本发明方法中使用的是热应力检测合格的石英管和石英管封帽，在将石英管和石英管封帽清洗...
包文瑧何永彬唐康中陈学富刘晋王顺金韩家贤
低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法
低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化...
王顺金惠峰韩家贤刘汉保柳廷龙韦华普世坤赵兴凯何永彬唐康中吕春富鲁闻华黄平陈飞宏李国芳
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