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双量子阱OLED正负磁电阻的调控: 2012年; 通过改变发光层的厚度,制备了一种双量子阱结构的有机电致发光器件(OLEDs),其结构为ITO/2T-NATA(20nm)/NPBX(50nm)/[Alq3:2%C545(dnm)/Alq3(3nm)]2/Alq3(17nm)/LiF(0.9nm)/Al。在常温下研究了器件的发光层在不同厚度(d=10,15,20和25nm)时的磁电阻(MR,magnetoresistance)特性。实验结果表明,在10V驱动电压的作用下,在相同磁场强度下,器件的厚度越大,电阻率也越大;在驱动电压为10V时,随着磁场强度的增加,10nm厚器件的MR随着磁场的增加而增大,表现正MR特性;而15、20和25nm厚3种器件的MR随着磁场强度的增强先减小后增加并趋于饱和状态,发光层越厚,MR减小的幅度越大,且都表现出负MR特性;获得最大的MR为-10.32%。; 常喜丁桂英姜文龙; 关键词：双量子阱

基于不同掺杂浓度双量子阱OLED的磁电阻效应被引量：3: 2012年; 采用1.5%,4.0%和6.0%3种不同的C-545T的掺杂浓度,在常温下制备了一种双量子阱结构的有机电致发光器件(OLEDs),其结构为ITO/2T-NATA(21nm)NPBX(50nm)/[Alq3:C-545T(20nm)/Alq3(3nm)]2/Alq3(17nm)/LiF(0.5nm)/Al,并研究了它们的磁电阻(MR,magne-toresistance)特性。实验结果表明,在室温以及相同的磁场强度和相同电压作用时,掺杂浓度越大,电阻率越小;且随着电压的增加,电阻率逐渐减小;C-545T掺杂浓度为6.0%的器件在V=10V和B=0mT时,器件的电阻率为42.24×103Ω.m;在10V驱动电压的作用和相同磁场强度下,掺杂浓度越小,器件的MR越小,且变化量较大;1.5%掺杂浓度的器件在50mT时获得的MR为-18.36%,且都表现出负磁阻特性。; 丁桂英姜文龙常喜汪津; 关键词：双量子阱

基于混合式的松弛规划优化的鲁棒定位算法: 2015年; 测距误差以及锚节点位置的不确定性给无线传感网络的节点定位提出挑战。为此,提出基于半定规划SDP(semidefinite programming)和二阶锥规划SOCP(second order cone programming)的混合式松驰规划求解定位问题的优化方案,记为R_SOCP+SDP。考虑测距误差和锚节点位置的不确定性,根据最大似然估计原则建立定位估计的鲁棒SOCP(RSOCP)、鲁棒SDP(RSDP)优化函数;分析SOCP与SDP间的关系,充分考虑SOCP的计算复杂度低、SDP的定位精度高的特点,建立R_SOCP+SDP凸优化函数;运用凸优理论中的松弛规划技术估计节点的位置。仿真结果表明,R_SOCP+SDP有效减少了定位误差,降低了计算复杂度。; 李多王晓红郑浩; 关键词：半定规划二次锥规划传感网

基于PHP的网络在线投票系统的设计与实现被引量：2: 2014年; 基于互联网的用户反馈数据资源的动态采集及分组数据统计是进行决策的重要依据.本文以PHP+MySql为编程工具实现了多选网上投票系统.遵循投票的真实性和公平性原则,保护用户隐私,在该系统的用户身份识别模块中引入了动态IP识别功能,实现了特定IP用户无重复的网上投票系统.; 郑浩; 关键词：PHP MYSQL

智能IC卡在数字化校园系统中的应用分析被引量：1: 2012年; 智能IC卡是数字化校园中身份识别和认证的主要载体,在教学、生活和服务等方面发挥重要作用.文中主要讨论了智能卡的设计和IC卡的工作原理、安全性,并分析了智能IC卡在校园一卡通中的应用.; 郑浩陈贵柱; 关键词：智能IC卡 DES加密 RSA算法

利用DPVBi插层提高蓝色荧光有机电致发光器件的效率被引量：3: 2011年; 将DPVBi薄层插入结构为ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi:DSA-ph/Alq3/LiF/Al有机荧光电致发光器件的发光层中,通过控制DPVBi插层的层数和位置,制备了高效率的蓝光器件.DPVBi薄层的引入增强了器件的电子注入,平衡了载流子在发光区的分布,同时DPVBi薄层的空穴阻挡作用,增大了发光层中激子的形成区域.当发光层中插入2层DPVBi薄层时,器件性能最佳,最大亮度为22790cd/m2,最大效率为6.77cd/A.与不含插层的器件相比效率提高了67.6%.该器件在亮度为1000cd/m2时效率为6.49cd/A,对应色坐标为(0.179,0.317).; 汪津赵毅谢文法段羽陈平刘式墉; 关键词：有机电致发光荧光蓝光载流子平衡

新型双极性TPABMI的高效率非掺杂蓝色OLED被引量：1: 2013年; 通过研究双极性蓝色荧光染料对(4-三苯胺)-联二苯基-(2-苯基)苯并咪唑(TPABMI)的电致发光(EL)特性,发现TPABMI不仅具有较强的发光特性,同时还具有较强的空穴/电子传输特性。利用此特性,制备了蓝光器件ITO/NPBX(40nm)/TPABMI(20nm)/TPBi(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(93nm);进而在空穴传输层NPB和发光层TPABMI之间插入TCTA薄层,并对ITO表面用MoO3进行修饰,制备了结构为ITO/MoO3(10nm)/NPB(80nm)/TCTA(5nm)/TPABMI(20nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的蓝色OLED。实验结果表明,器件在16V电压下实现了蓝光发射,发光波长为464nm,色坐标为(0.150 9,0.143 8),最大发光亮度为18 970cd·m-2,获得最大发光效率为5.48cd·A-1;器件效率由启亮后6V时的3.53cd·A-1到14V时的3.66cd·A-1比较稳定,从15V时的3.89cd·A-1到16V时的5.48cd·A-1有一个很大的提升;器件的色度从启亮到获得最大亮度的过程中比较稳定。; 丁桂英常喜汪津姜文龙欧阳新华; 关键词：双极性亮度

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吉林省自然科学基金(20101512)