您的位置： 专家智库 > >

江苏省自然科学基金(BK2007012)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：李赟陈辰李亮姜文海许晓军更多>>
相关机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结材料
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇SI(111...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇董逊
  • 1篇李忠辉
  • 1篇张岚
  • 1篇许晓军
  • 1篇姜文海
  • 1篇李亮
  • 1篇陈辰
  • 1篇李赟

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料被引量：3
2009年
利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。
李忠辉李亮董逊李赟张岚许晓军姜文海陈辰
关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0