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国家高技术研究发展计划(2010AA0522395001)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：李涛阮建明隋妍萍何炜瑜张德贤更多>>
相关机构：南开大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇XRD
  • 1篇HALL

机构

  • 1篇南开大学

作者

  • 1篇蔡宏琨
  • 1篇张德贤
  • 1篇何炜瑜
  • 1篇隋妍萍
  • 1篇阮建明
  • 1篇李涛

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
共蒸发制备GaSb多晶薄膜的研究被引量：3
2012年
GaSb的禁带宽度为0.72eV,是热光伏电池的理想材料。采用共蒸发的方法,在普通玻璃衬底上生长GaSb多晶薄膜。通过XRD谱、Hall及透射反射谱测试,研究了Ga、Sb源的蒸发温度、衬底温度以及薄膜厚度对薄膜的结构特性和光电特性的影响。研究表明,随衬底温度的升高、薄膜厚度的增加,晶粒尺寸逐渐增大;随衬底温度的升高、Ga源温度的降低以及厚度的增加,迁移率逐渐上升,迁移率最高可达172cm2/(V.s);随衬底温度的降低、Ga源温度的提高以及厚度的增加,载流子浓度逐渐增加。
阮建明隋妍萍李涛何炜瑜蔡宏琨张德贤
关键词：HALLXRD
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共1页<1>
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