国家高技术研究发展计划(2001AA312040)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 相关作者：赵永林郭亚娜周州蔡道明曾庆明更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所东南大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究
- 2005年
- 介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中,并取得了较好的器件及电路结果。
- 赵永林蔡道明周州郭亚娜刘跳
- 关键词：选择比光电子集成电路
- 基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
- 2007年
- 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.
- 李献杰赵永林蔡道民曾庆明蒲运章郭亚娜王志功王蓉齐鸣陈晓杰徐安怀
- 关键词：INGAASHBTOEIC
