博士科研启动基金(A2006-01)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术
- 采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和 MCT 红外探测器可以构成原位的 FTIR 测量系统,可应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺。丈中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影响,以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细...
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- 关键词：等离子体刻蚀FTIR
- 文献传递
- 等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术
- 2007年
- 采用傅里叶红外光谱仪(FHR)和MCT红外探测器可以构成原位的FTIR测量系统,可应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺.文中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影响,以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细的研究.实验表明:采用含F化合物对反应腔室进行清洗会改变反应腔室的状态,在腔室内壁状态达到稳定之前会对刻蚀速率的一致性造成扰动.硅片表面反应层中的化学组成变成了以CF为主的薄膜层,对刻蚀过程的有一定的抑制作用.
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- 关键词：等离子体刻蚀FTIR
- 等离子体刻蚀工艺中的OES监控技术被引量：2
- 2008年
- 采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断及控制方面的应用。实验平台为在新研发的高密度等离子体刻蚀机,采用化学气体HBr/Cl2为刻蚀气体进行多晶硅刻蚀工艺实验,实验过程中所采集的OES数据通过PCA法进行分析,得到与刻蚀过程相关的特征谱线。实验结果表明:OES技术适合于深亚微米等离子体刻蚀工艺过程的终点检测及故障诊断。最后就OES技术未来发展面临的挑战进行了讨论。
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- 关键词：等离子体刻蚀OES故障诊断
