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北京市科技新星计划(2006A18)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王明文王彪郭佳林常永勤龙毅更多>>
相关机构：北京科技大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”北京市自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇发光机制
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体纳米线
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线
  • 1篇CVD

机构

  • 1篇北京科技大学

作者

  • 1篇陆映东
  • 1篇龙毅
  • 1篇常永勤
  • 1篇郭佳林
  • 1篇王彪
  • 1篇王明文

传媒

  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 1篇2011
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排序方式：
Sn掺杂ZnO半导体纳米线的制备、表征及光学性能
2011年
采用化学气相沉积法获得了Sn掺杂含量约为2.4%(原子分数)的Sn掺杂ZnO半导体纳米线。X射线衍射结果表明,Sn的掺杂并没有改变ZnO的纤锌矿结构。掺杂纳米线的室温光致发光光谱在409.2nm和498.0nm处出现了蓝绿光发光峰。探讨了其发光机制,认为前者可能来源于从导带到Zn空位形成的浅受主能级的跃迁以及从氧空位形成的浅施主能级到价带的跃迁;而后者来源于从氧空位形成的浅施主能级到锌空位浅受主能级的跃迁。
郭佳林常永勤王明文陆映东王彪龙毅
关键词：ZNO纳米线光致发光发光机制CVD
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