教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-10-0066)
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 相关作者：王金忠高世勇兰飞飞黎倩王敦博更多>>
- 相关机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征被引量：4
- 2013年
- 利用CuO作为前驱体对ZnO进行了Cu掺杂研究,分别在不同温度下获得了ZnO纳米带及有纳米带构成的微米花状结构,对其生长机理进行了分析。并且以Cu片为衬底获得了ZnO的纳米梳以及有纳米梳构成的多层结构ZnO。XRD表明产物中只有ZnO单质相的存在,EDS证明产物中存在Cu元素。ZnO室温下的PL谱表明其UV与深能级发射强度比随Cu掺杂量的增加而变大,说明Cu的掺杂能够降低ZnO的缺陷峰强度。
- 兰飞飞王金忠王敦博黎倩颜源于清江高世勇矫淑杰
- 关键词：ZNOCU掺杂光致发光
- 不同衬底温度下射频磁控溅射磷掺杂ZnO薄膜的性质被引量：4
- 2011年
- 为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350°C的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上。样品的XRD谱显示薄膜为<001>方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250°C时最低。原子力图像分析显示:薄膜的表面形貌随沉积温度而变化,粗糙度随温度升高而增加。样品的XPS谱在134eV附近清晰地观测到了磷的P2p峰,且组分随衬底温度而变化。在400～600nm的范围内样品的平均光学透射率大于60%,所计算的光学带隙大约为3.2 eV。薄膜的Hall测量表明薄膜为n型电导,且薄膜中的载流子浓度随温度的升高而降低。该工作有助于对ZnO低温磷掺杂薄膜性质的了解,从而在低温下获得磷掺杂的ZnO p型导电薄膜。
- 王金忠李美成Vincent SalletA.RegoR.MartinsE.Fortunato
- 关键词：氧化锌掺杂光电子能谱
