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基于启发式搜索的半导体集束设备调度: 集束设备是8英寸以上晶圆加工的重要设备,其独特的物理结构以及特殊的半导体工艺使其调度不同于一般 Job Shop 调度问题。本文针对一种双臂机器手、在各加工单元内驻留时间受限、可重进加工类型的集束设备,在分析其调度的独特...; 耿沿锋康凯王宏; 关键词：调度; 文献传递

High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system被引量：1: 2011年; A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxial layers have been successfully grown. The non-uniformity of undoped GaN epitaxial layers is as low as 2.86%.Using the LED structural epitaxial layers, blue LED chips with area of 350×350μm2 were fabricated.Under 20 mA injection current,the optical output power of the blue LED is 8.62 mW.; 殷海波王晓亮冉军学胡国新张露肖红领李璟李晋闽; 关键词：MOCVD GAN LED

一种面向对象的SECS-Ⅱ消息实现方法被引量：3: 2008年; 针对SECS-Ⅱ(SEMI Equipment Communications Standard 2 Message Content)特殊的消息格式,提出一种面向对象的实现方法。系统中定义了同标准中规定的数据类型相对应的类以及相关操作,并使用了Composite和Visitor设计模式。系统可以按照用户需求创建SECS-Ⅱ消息,完成消息编码、解码等功能。该系统的优点是能够动态创建消息且可扩展性强。; 邓珂王宏; 关键词：面向对象编程设计模式

Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor: A detailed reaction-transport model was studied in a showerhead reactor for metal organic chemical vapor depos...; Haibo YinXiaoliang WangGuoxin HuJunxue RanHongling XiaoJinmin Li

MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化: 对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现...; 殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵; 关键词：GAN MOCVD 数值模拟流场沉积速率; 文献传递

MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化被引量：2: 2008年; 对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小孔分布方式等条件,得到反应室内流场、热场及薄膜沉积速率的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现基座上方没有涡旋的平直流场及较大的温度梯度有利于提高沉积速率及其均匀性,通过旋转基座可以实现上述结果;腔体内壁的圆弧化、小口径的顶盘入气孔等反应室结构优化方式有助于材料生长的均匀性。; 殷海波王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽侯洵; 关键词：GAN MOCVD 数值模拟流场沉积速率

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国家高技术研究发展计划(2006AA03A141)