国家自然科学基金(51262022)
- 作品数：34 被引量：62H指数：5
- 相关作者：周炳卿张林睿张丽丽李海泉高爱明更多>>
- 相关机构：内蒙古师范大学北方民族大学吉林大学口腔医院更多>>
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- 相关领域：理学动力工程及工程热物理化学工程电子电信更多>>
- a-SiN_x:H薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究被引量：2
- 2016年
- 为了研究热丝温度对a－SiNx：H薄膜性能的影响，采用热丝化学气相沉积法，以SiH4，NH3，H2为反应气源，改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外－可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知，当热丝温度为1645℃时，H含量最大，N含量最小，同时其折射率最高，薄膜材料的有序度增大；当热丝温度为1713℃时，H含量减少，N含量达到最大，且随着热丝温度增大，薄膜中N含量又开始下降，内部缺陷态密度增加。结果表明，热丝法制备a－SiNx ：H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃～1680℃之间，此时所制备的薄膜折射率为2．0，适合应用于硅基太阳能电池减反射膜层，且具有较充分的氮、氢含量，薄膜结构、性能稳定。
- 张娜周炳卿张林睿路晓翠
- 关键词：光致发光光谱热丝化学气相沉积
- 氮(氧)化物荧光粉的合成与发光性能被引量：4
- 2017年
- 为了制备高性能的白光LED,发光性能好的荧光粉是必不可少的。氮(氧)化物荧光粉有着发光效率高、可进行光谱剪裁、绿色环保、热稳定性好的优点,可以成为制备白光LED的主要的荧光粉材料。本文综述了近几年来在氮(氧)化物荧光粉的晶体结构特征、制备方法,发光性质及其在高亮度、高显色白光LED封装应用的最新进展,并指出该领域研究过程中存在的问题:(1)含有不同非金属成份的氮(氧)化物新基质很少,(2)关于计算荧光粉晶体场变化的理论研究很少,(3)目前单一基质白光发射荧光粉的发射普遍存在红色发射成分缺乏或不足、显色指数不高等问题。对该领域的发展趋势做出了展望,希望推动新型高效白光LED用发光材料的研究,继而提高白光LED研究应用水平。
- 武文杰阿木古楞刘文全刘文全特古斯
- 关键词：白光LED荧光粉
- VTD法制备不同基底倾角的硒化锑薄膜及太阳电池
- 2022年
- 硒化锑(Sb_(2)Se_(3))具有较高丰度及良好的光电特性,是当前热门太阳电池材料之一。目前,在Sb_(2)Se_(3)的多种制备方法中,气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注。采用VTD法制备Sb_(2)Se_(3)薄膜的影响因素有多种,如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等。本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb_(2)Se_(3)薄膜,对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征。结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响。晶粒尺寸随着生长角度的增加而先增大后减小,同时薄膜的形貌由棒状生长转变为片状生长,在基底倾角为90°时,薄膜变得最为致密。近红外-紫外反射光谱表明倾角60°的样品在波长小于1100 nm的范围具有最低的反射率,在该角度下制备的FTO/CdS/Sb_(2)Se_(3)/C器件获得了2.38%的转换效率。
- 白晓彤崔晓荣张林睿周炳卿
- 关键词：太阳电池微结构带隙
- 预热温度对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能的影响
- 2022年
- 通过溶胶凝胶法研究不同预热温度(140℃、170℃、200℃、230℃)对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜性能及其太阳电池转化效率的影响,利用XRD、Raman、SEM、UV、光电化学测试对Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜结构与光电性能进行表征,并对制备的薄膜器件进行I-V特性曲线表征。由XRD衍射和Raman散射测试表明,硒化后的样品均掺入了Se原子。预热温度为200℃时,Sb_(2)(S,Se)_(3)的(120)、(130)、(230)衍射峰相对强度最大,表明晶体结晶质量提升的同时,具有一定取向。SEM表征发现,Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的形貌以及薄膜表面平整度与前驱体的预热温度密切相关;合适的衬底预热温度(200℃)可以快速将有机溶剂分解挥发,使Sb_(2)S3前驱体薄膜迅速沉积在衬底表面。200℃时Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜光电性能最好,暗电流相对最平稳,此时带隙值为1.37 eV,制备出的太阳电池效率为0.386%。
- 崔晓荣白晓彤周炳卿张林睿
- 关键词：溶胶凝胶法预热温度光电性能
- 氧化铟锡薄膜材料制备及其光电特性研究被引量：1
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶旋转涂膜法,以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜材料,研究掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.实验结果表明,ITO薄膜的方块电阻和可见光透射率都与掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和时间等因素有关,最佳参数为锡掺杂量12wt%,热处理温度和时间分别为450℃和1h,薄膜层数为6层.最佳ITO薄膜的方块电阻为185Ω/□,可见光平均透射率为91.25%.
- 高玉伟张丽丽周炳卿张林睿张龙龙
- 关键词：溶胶-凝胶法ITO方块电阻透射率光电性能
- 氨气流量对富硅氮化硅薄膜键态的分析
- 2016年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低压力的条件下,以Si H4、NH3和H2为反应气体,通过改变氨气流量来研究富硅氮化硅薄膜材料。通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测样品中各键的键合结构演变,发现Si-N键和N-H键随着氨气流量改变向高波数方向移动,说明逐渐形成氮化硅薄膜。通过紫外-可见光透射光谱测量薄膜材料的透射光谱,计算得出薄膜相应的带隙宽度以及带尾能量,发现氨气流量的增加,光学带隙明显展宽,确定形成的薄膜为富硅氮化硅薄膜。
- 部芯芯周炳卿乌仁图雅高爱明丁德松
- 关键词：化学气相沉积
- PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析被引量：2
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明：多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出（111）方向的择优生长取向。当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加。对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落。
- 张林睿周炳卿高玉伟张龙龙张娜路小翠
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积硅薄膜退火
- PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究被引量：10
- 2014年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。
- 张龙龙周炳卿张林睿高玉伟
- 关键词：PECVD非晶结构光学带隙
- 热丝化学气相沉积微晶硅薄膜结构及性质研究被引量：2
- 2014年
- 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以钨丝作为热丝,在不同热丝温度和氢稀释度下,分别在玻璃和单晶硅片衬底上沉积微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料。对所制备的微晶硅薄膜材料使用XRD、傅里叶变换红外吸收光谱、透射谱等进行结构与性能的表征分析。结果表明,随着热丝温度升高,氢稀释度变大,薄膜呈现明显的(220)择优生长取向,晶粒尺寸逐渐增大,光学吸收边出现红移,光学带隙逐渐变小。通过优化沉积参数,在热丝温度为1577℃、氢稀释浓度为95.2%、衬底温度为350℃,沉积速率为0.6 nm/s和沉积气压8 Pa条件下,制备的微晶硅薄膜呈现出了(220)方向的高度择优生长取向,平均晶粒尺寸为146 nm,光学带隙约为1.5 eV,光电导率σp为3.2×10-6Ω-1·cm-1,暗电导率σd为8.6×10-7Ω-1·cm-1,表明制备的材料是优质微晶硅薄膜材料。
- 高玉伟周炳卿张林睿张龙龙
- 关键词：微晶硅薄膜化学气相沉积热丝
- 氨流量对制备富硅-氮化硅薄膜微结构演化的影响
- 2021年
- 利用热丝化学气相沉积法制备富硅-氮化硅薄膜,研究氨气流量对薄膜微结构的影响。实验中将热丝温度、衬底温度、沉积压强、硅烷流量及衬底与热丝间距等实验参数优化后,改变氨气流量,制备了一系列SiN x薄膜样品。结果发现,氨气流量增加时,薄膜中Si-N键的形成却受到抑制,薄膜带隙展宽,缺陷态也随之增加。在光致发光谱480~620 nm范围内,观察到发光峰有明显的红蓝移现象,认为薄膜中有硅量子点的存在,缺陷态发光强度相对硅量子点的发光强度逐渐增强,为进一步制备在SiN_(x)薄膜中包埋硅量子点材料提供了依据。
- 张璊闫泽飞周炳卿
- 关键词：微结构
