高功率半导体激光国家重点实验室基金(ZS3604)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：长春理工大学哈尔滨工业大学更多>>
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- MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究
- 2007年
- 用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量。通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为272″,迁移率为64 300 cm2V-1s-1的InSb外延层。
- 李占国刘国军尤明慧熊敏李梅李林
- 关键词：分子束外延缓冲层原子力显微镜透射电子显微镜
- 脊波导半导体激光器模式特性研究与设计被引量：1
- 2011年
- 利用有效折射率法求解了脊形光波导半导体激光器的模式场分布,采用数值计算得到有效折射率随波导厚度变化关系。通过对这种波导模式的分析,进行了单模脊波导的设计,提出了一种新器件结构。并运用Matlab进行模式模拟,分析结果表明器件有很好的模式特性。
- 张秀薄报学高欣乔忠良邹微微
- 关键词：有效折射率MATLAB
- 缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响被引量：3
- 2007年
- InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响.利用高能电子衍射仪（RHHEED）得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响.采用原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线双晶衍射（DCXRD）等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172＂,77 K下迁移率为64 300 cm^2·V^-1·s^-1的InSb外延层.
- 李占国刘国军李梅尤明慧熊敏李林张宝顺王晓华王勇
- 关键词：分子束外延缓冲层表面形貌透射电子显微镜
- MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究
- 用分子束外延(MBE)方法在 GaAs(001)衬底上外延生长了 InSb 薄膜,并研究了异质外延 InSb 薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X 射线双晶衍射(DC...
- 李占国刘国军尤明慧熊敏李梅李林
- 关键词：分子束外延缓冲层原子力显微镜透射电子显微镜
- 文献传递
