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国家自然科学基金(61178052)

作品数:10 被引量:13H指数:2
相关作者:陈云琳范天伟张进宏佟曼李建光更多>>
相关机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 6篇机械工程
  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇TALBOT...
  • 3篇电光
  • 3篇阵列
  • 3篇泰伯效应
  • 3篇光分
  • 3篇光分束器
  • 3篇光栅
  • 3篇分束器
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光效应
  • 2篇铌酸锂
  • 2篇位相
  • 2篇可调
  • 2篇光调制
  • 1篇电性质
  • 1篇衍射
  • 1篇泰伯
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电性质

机构

  • 8篇北京交通大学

作者

  • 8篇陈云琳
  • 5篇范天伟
  • 4篇张进宏
  • 2篇佟曼
  • 1篇朱亚彬
  • 1篇李建光

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇Chines...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国科技论文

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于周期极化掺镁铌酸锂晶体的六角可调相位阵列光栅被引量:2
2014年
研究了基于周期极化掺镁铌酸锂(PPMg…LN)晶体的二维六角可调相位光栅及其Talbot效应光衍射成像。理论模拟不同相位差及分数Talbot距离条件下的近场光衍射强度分布,计算取样区内衍射强度随相位差和分数Talbot距离的变化,给出相位差恒定及变化情况下取样区强度最大值的位置。在理论研究基础上,设计与制备PPMg…LN六角可调相位阵列光栅,并进行了Talbot衍射成像的实验研究,实验结果与理论研究吻合较好。
张进宏陈云琳
关键词:光栅TALBOT效应电光效应
基于Talbot效应的电光调制位相阵列器被引量:1
2014年
利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和实验研究,得到了不同位相差和不同分数Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测图像,实验结果与理论研究相符。计算衍射场取样区域内平均强度,获得取样区内强度随位相差和Talbot距离变化的曲线,揭示了位相差和衍射位置对阵列器衍射强度分布的影响。
张进宏陈云琳
关键词:TALBOT效应铌酸锂电光效应
畴腐蚀掺镁铌酸锂光分束器的泰伯效应研究被引量:2
2014年
基于菲涅耳衍射理论分析了畴腐蚀二维周期结构掺镁铌酸锂晶体光分束器的泰伯效应,对光分束器不同占空比D及泰伯分数β条件下的近场光衍射自成像进行了数值模拟研究。设计并制备了不同占空比的畴腐蚀掺镁铌酸锂晶体光分束器,并对其进行了分数泰伯光衍射自成像的实验研究,得到了不同泰伯分数β条件下的近场光衍射强度分布。结果表明,当光分束器占空比D=52%、泰伯分数β=2时,近场衍射自成像效果最佳,实验结果与理论研究结果相符。
范天伟陈云琳
关键词:光学器件衍射泰伯效应光分束器
Investigation of domain walls in periodically poled MgO:LiNbO_3 by second harmonic imaging
2013年
The domain wall regions in periodically poled MgO-doped LiNbO3 (PPMgLN) crystal are examined by using second harmonic generation (SHG). The results show that the average domain walls that separate the individual domains have a width in the order of about 1 μm, and the walls are neither completely smooth nor uniform along the walls from the imaging of the SHG. It is proposed that the origin of the second harmonic signal in the regions around domain wall is attributed to the non-180° domain walls in the ferroelectric domains.
陈云琳张进宏李海伟
关键词:SHGMGO
Diffractive self-imaging based on selective etching of a ferroelectric domain inversion grating被引量:1
2015年
A hexagonal array grating based on selective etching of a 2D ferroelectric domain inversion in a periodically poled Mg O-doped Li Nb O3 crystal is fabricated. The effects to the diffractive self-imaging as a function of diffraction distance for a fixed phase difference and array duty cycle of the grating is theoretically analyzed.The Talbot diffractive self-imaging properties after selective etching of a 2D ferroelectric domain inversion grating under a fixed phase difference are experimentally demonstrated. A good agreement between theoretical and experimental results is observed.
陈云琳范天伟曼佟
关键词:ETCHING
铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究被引量:1
2015年
在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究。结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38%,平均透光率比LN衬底提高了1.1%。应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67。
柯笑晗陈云琳朱亚彬范天伟
关键词:ITO薄膜铌酸锂磁控溅射光电性质
基于Talbot效应的掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅的研究被引量:8
2013年
本文系统研究了基于泰伯效应(Talbot)的位相可调掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅及其光衍射成像,对光栅占空比 D、不同位相差φ、及泰伯分数β条件下的光栅近场光衍射强度分布进行了理论研究, 结果表明当光栅占空比 D = 52%、位相差φ = 0.75 π、泰伯分数β = 0.2 时, 光栅近场衍射光图像效果最佳. 实验设计与制备了掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅,并对其进行了Talbot衍射光成像实验研究,得到了不同位相差和不同泰伯分数β条件下光栅近场衍射光图像,实验结果与理论研究结果相符.
范天伟陈云琳张进宏
关键词:泰伯效应
掺镁铌酸锂电光调制位相阵列光栅
2015年
设计并制备了基于周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的二维六角可调位相阵列光栅,在较低外加调制电压下,获得了清晰的阵列光栅泰伯(Talbot)光衍射自成像。试验研究了不同相位差时阵列光栅的近场光衍射图样及取样光点处的相对光强分布,在占空比D为52%、相位差Δφ为0.75π、泰伯分数β为0.5时,近场光衍射相对光强最大。同时在较低外加调制电压(0.461kV)下,即可获得清晰泰伯衍射图样。该研究可为掺镁铌酸锂阵列光栅在集成光学领域的应用提供参考。
佟曼范天伟陈云琳柯笑晗
关键词:泰伯效应
外加电场调制二维六角位相阵列光分束器的研究被引量:3
2012年
本文建立了外加电场调制二维六角位相阵列光分束器的倒格矢理论模型,利用数值模拟方法开展了阵列光分束器的理论研究,对可调位相差阵列光分束器进行了分析,得到了不同分数泰伯距离以及外加电场条件下的光强分布图.实验设计与制备了铌酸锂二维六角位相阵列光分束器,并对其进行了Talbot衍射光分束实验研究,当外加电压为0.5 kV(电场为1 kV/mm)时,观测到了Talbot衍射光分束现象,随着外加调制电场的增大,其衍射光分束图像越清晰,该实验结果和理论研究结果相符.
李建光陈云琳张进宏
关键词:光分束器
畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究
2016年
研究了不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角可调阵列光分束器的分数Talbot效应.对不同Talbot分数β和不同畴腐蚀深度的阵列光分束器Talbot衍射像进行了数值模拟理论研究.模拟结果表明,Talbot分数β可以改变Talbot衍射像的周期及结构分布,而畴腐蚀深度可有效调制衍射像的光强分布.在理论研究的基础上,设计并制备了具有不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角阵列光分束器,对其在不同Talbot分数β条件下的分数Talbot效应进行了通光实验研究,实现了畴腐蚀阵列光分束器对近场Talbot衍射光强分布的调制,实验结果与理论研究结果一致.
佟曼范天伟陈云琳
关键词:TALBOT效应
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