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香港特区政府研究资助局资助项目(CityU122805)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：张文军何斌郜志华邓金祥陈光华更多>>
相关机构：香港城市大学北京工业大学更多>>
发文基金：香港特区政府研究资助局资助项目北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇立方氮化硼薄...
  • 1篇BE
  • 1篇HALL

机构

  • 1篇北京工业大学
  • 1篇香港城市大学

作者

  • 1篇陈光华
  • 1篇邓金祥
  • 1篇郜志华
  • 1篇何斌
  • 1篇张文军

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究被引量：2
2008年
本文应用RF溅射法,在n型Si（100）衬底上制备BN薄膜。首次用离子注入工艺,将铍（Be）离子注入到BN薄膜中使之成为p-型。我们用范德堡方法对该薄膜进行了室温下的霍尔效应测量,薄膜为p型导电,电阻率为10^-3Ω.cm左右,迁移率14-28 cm^2/V.S,载流子浓度10^19-10^20cm^-3,霍尔系数10^-1cm^-3/C左右,用此法制备的p-BN/n-BN异质结,有明显的整流特性。
何斌陈光华郜志华邓金祥张文军
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