中国航空科学基金(05G530038)
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
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- 单分散SiO_2微球的合成及胶体晶体的生长被引量：1
- 2008年
- 对传统的"St ber-Fink"合成SiO2微球的工艺进行了改进,运用"籽晶生长法"合成了单分散SiO2微球,该法可以准确地控制微球尺寸,提高微球的球形度。采用垂直沉积法制备了胶体晶体,并对样品的结构和光学性能进行了表征。研究了微球尺寸对垂直沉积SiO2胶体晶体光子带隙的影响,结果表明,通过控制微球粒径,可调节光子晶体的带隙位置。
- 闫晓红陈福义于子龙介万奇
- 关键词：SIO2微球胶体晶体
- CdSe-SiO_2光子晶体的垂直沉积及近红外变频特性被引量：1
- 2008年
- 在氧化铟锡玻璃上电化学合成了CdSe薄膜,采用垂直沉积法首次在CdSe薄膜上制备了SiO2胶体晶体,实现了CdSe表面介电常数的调节。扫描电镜观察表明,500nm微球在CdSe薄膜上呈面心立方密堆结构排列,在微米尺度上胶体晶体显示出一定的多晶序。与SiO2胶体晶体相比,CdSe-SiO2光子晶体的UV-vis-NIR透射谱只有一个较宽的光子带隙,带隙在近红外波段随入射角减小向短波方向移动。所得CdSe-SiO2光子晶体样品可作为地面目标针对红外卫星成像的伪装材料。
- 于子龙陈福义介万奇阎晓红
- 关键词：胶体晶体光子带隙CDSE
- 沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响被引量：5
- 2008年
- 使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜。研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系。X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600^-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大。原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚。透射光谱测试显示:在350~850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移。所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应。
- 于子龙陈福义介万奇闫晓红
- 关键词：电沉积量子尺寸效应CDSE
