国家自然科学基金(50572059)
- 作品数：16 被引量：69H指数：5
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- 添加Nb对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响被引量：17
- 2007年
- 采用固相反应法制备了CaCu3Ti4-xNbxO12(x=0,0.01,0.04,0.08,0.2)陶瓷,样品在x取值范围内形成了连续固溶体.在40Hz—110MHz频率范围对样品进行了介电频谱分析,实验结果表明,与纯CaCu3Ti4O12不同,含Nb试样除了在频率大于10kHz范围内出现的德拜弛豫行为外,室温下在40Hz—10kHz低频率范围内还存在一个新的德拜弛豫峰,低于该弛豫特征频率时介电常数达106以上,该峰的特征频率随着Nb含量的增大向高频方向移动.根据阻抗谱中观察到的三个半圆弧,采用阻挡层电容模型,利用含有三个RC的等效电路对上述实验现象作了合理解释.
- 刘鹏贺颖李俊朱刚强边小兵
- 关键词：巨介电常数等效电路
- 偏置电场诱导的PLZST反铁电介电弛豫现象被引量：1
- 2008年
- 在不同偏置电场和频率下测量了(Pb0.94La0.04)(Zr0.5Sn0.3Ti0.2)O3陶瓷的介电温谱,观察到电场诱导的反铁电介电弛豫现象.电场越大,反铁电介电频率色散越强;反铁电与铁电态之间的相互竞争与共存引起材料内部纳米尺度的结构无序,这被认为是反铁电介电弛豫的物理起源.
- 刘鹏张丹
- 关键词：介电性能陶瓷
- 烧结助剂对Mg4Nb2O9陶瓷性能的影响被引量：1
- 2008年
- 研究了Bi2O3-V2O5、CuO-Bi2O3-V2O5、Li2CO3-V2O5掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结特性和微波介电性能的影响。通过XRD分析材料物相组成,结果表明,CuO-Bi2O3-V2O5、Bi2O3-V2O5的添加能有效地将Mg4Nb2O9陶瓷烧结温度从1 350℃降至950℃,但同时陶瓷的品质因数(Q.f)有很大恶化。掺杂w(Li2CO3-V2O5)=3%,试样致密化温度降至950℃,保温5 h,其具有良好的微波介电性能:介电常数(rε)为14.0,Q.f为83 276 GHz。
- 姚国光裴翠锦刘鹏
- 关键词：微波介质陶瓷介电性能
- Mg_4Nb_2O_9/Ag共烧微波介质陶瓷性能研究
- 2007年
- 采用固相法,制备了Mg4Nb2O9微波介质陶瓷,研究了银粉与Mg4Nb2O9陶瓷粉体的化学兼容性和微波介电性能.通过X射线衍射谱(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析测试手段,对材料的晶相组成、显微结构进行了研究.采用V2O5、Li2CO3复合掺杂来降低Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度,以便能够与银粉匹配共烧.结果表明,1.5%V2O5和1.5%Li2CO3(VLi)共掺杂可使925℃烧结无第二相生成.该陶瓷良好的整体微波介电性能可用于微波材料.
- 姚国光刘鹏
- 关键词：微波介质陶瓷V2O5
- Pb(Zr,Ti)O_3/Terfenol-D叠层结构中的磁电共振特征及其磁电压分布
- 2009年
- 研究了Pb(Zr,Ti)O3/Terfenol-D(Tb1-xDyxFe2)合金叠层结构的磁电压特征。介电常数和磁导率随频率变化特征表明,复合样品的电-机械谐振和磁-机械谐振不在同一频率。电-机械谐振和磁-机械谐振均可以增强磁电耦合效果,电-机械谐振对磁电耦合的影响比磁-机械谐振的影响大得多。磁电压的相位差在电-机械谐振频率附近增加0.75π～π,在磁-机械谐振频率附近出现明显的突变。磁电压显示出中心线对称分布,样品的不同位置对磁电压输出的贡献不同。磁电压的不同分布是由于应变的分布方式和谐振模式造成的。
- 周剑平过阳阳孙万昌刘鹏
- 关键词：磁电效应压电效应叠层复合材料
- 元素分布和裂纹对PMN-32PT单晶电学性能的影响
- 2008年
- 为寻求PMN-32PT单晶电学性能不稳定的成因,利用准静态压电常数测试仪、数字电桥和EDS对[001]切型PMN-32PT单晶的电学性能和成分分布进行了对比分析,并考察了裂纹对晶体电学性能的影响.结果表明,元素分布的不均匀是造成[001]切型PMN-32PT单晶电学性能不均匀的重要原因,其中Ti对晶体的压电性能有正的贡献而Nb与之相反,Mg对介电常数有正的贡献;裂纹对晶体的电学性能影响显著,在裂纹处,PMN-32PT单晶的电学性能急剧下降.
- 惠增哲罗海龙龙伟刘健康
- 关键词：压电介电单晶
- ZnS:Cu纳米微粒的光致发光特性被引量：9
- 2007年
- 采用水热法合成ZnS:Cu纳米粉体,研究了Cu物质的量分数在0￣2%范围变化时对ZnS纳米粉体光致发光特性的影响。室温下,用310nm的波长的光激发发光体,在荧光发射图谱(PLE)中同时观察到了5个发射峰,其中398、423、445￣458nm处的发光属于蓝色发光光谱的分裂,488、530nm处则为绿色发光光谱的分裂,微量杂质铜的掺入在ZnS晶体中产生新的能级是导致光谱分裂的主要原因。初步探讨了不同发射波长的发射机理。通过X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的相结构和形貌进行了表征,结果表明,产物均为立方相结构,粒径大小约为10nm。紫外可见吸收(UV-Vis)光谱中,吸收峰出现在320nm附近,由于量子尺寸效应出现了明显的蓝移现象。
- 慕春红刘鹏朱刚强边小兵周剑平贺颖
- 关键词：半导体光致发光ZNSCU
- 锆钛酸钡陶瓷的制备与介电性能研究被引量：6
- 2008年
- 采用传统电子陶瓷工艺，制备了Ba（ZrxTi1-x）O3（BZT，x=0．20，0．25，0．30）铁电陶瓷，研究了不同Zr含量对陶瓷微观结构、介电性能和介电可调度的影响．结果表明，不同频率下陶瓷样品的介电温谱显示Ba（ZrxTi1-x）O3材料具有弥散相变的特征，当x=0．3时，已成为典型的弛豫型铁电体；温度为193～323K时，材料的介电可调度测量表明所有样品介电可调度均在10％以上，且在铁电态和居里温区附近介电可调度明显高于顺电态．从铁电畴、极性纳米微区的角度出发对实验结果进行了解释．发现室温（300K）时样品x=0．25的介电可调度可达49．5％，优化因子为49．11（1．5kV／mm，10kHz）．
- 孟玲姚国光张丹丁兰芳马建立刘鹏陈一玮
- V_2O_5和Li_2CO_3共掺杂对Mg_4Nb_2O_9陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响被引量：5
- 2006年
- 采用固相法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷,研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,采用1.5%V2O5和1.5%Li2CO3共掺杂,能够将Mg4Nb2O9(1 350℃)陶瓷的烧结温度降至925℃,且有助于Mg4Nb2O9单相的形成.3.0%(V2O5,Li2CO3)共掺杂样品在925℃空气中烧结5 h可获得良好的微波介电性能(介电常数为13.7,品质因数为77 975 GHz).
- 姚国光刘鹏边小兵
- 关键词：微波介质陶瓷V2O5
- 反铁电陶瓷(Pb0.94La0.04)(Zr0.55-xSn0.45Tix)O3的电学性能研究被引量：1
- 2008年
- 利用X射线衍射、电滞回线和弱场介电温度谱,研究了(Pb0.94La0.04)(Zr0.55-xSn0.45Tix)O3(PLZST,0.14≤x≤0.20)陶瓷的相结构和宏观电学性能.结果表明,随着x含量的增加,材料逐渐由反铁电四方相(antiferroelectric tetragonal,AFET)转变为铁电三方相(ferroelectric rhombohedral,FER)和反铁电四方相共存.介电温谱显示,试样的介电常数(ε)在从AFET到顺电(paraelectric,PE)相变中均呈现弥散相变的特征,且随x含量的增加,ε和tanδ值的频率色散现象逐渐增强,这表明所研究的材料由正常反铁电体逐渐向弛豫型反铁电体过渡.最后从多元复杂化合物存在纳米限度组份非均匀的观点出发对其给予了解释.
- 张丹姚国光孟玲慕春红王波刘鹏
- 关键词：反铁电陶瓷介电弛豫
