微光夜视技术国防科技重点实验室基金 作品数:76 被引量:281 H指数:8 相关作者: 李晓峰 金伟其 钱芸生 赵学峰 张益军 更多>> 相关机构: 北京理工大学 南京理工大学 北方夜视科技集团有限公司 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 西安工业大学校长基金 兵器预研支撑基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 机械工程 自动化与计算机技术 更多>>
一种基于双通道CMOS相机的低照度动态场景HDR融合方法 被引量:3 2020年 高动态范围成像技术能够全面有效反映场景信息,有利于在高动态范围场景下获得高质量的成像。但当前常用的基于单台相机的多次曝光融合方法在动态场景下易出现“鬼影”问题,基于多个传感器同时曝光的系统复杂且价格昂贵,基于单幅低动态范围图像的拓展方法易丢失欠曝光或过曝光区域的细节信息,且多用于较好的照明条件。针对低照度动态场景成像,研究了一种基于双通道低照度CMOS相机的高动态范围图像融合方法,对双通道CMOS相机采集低照度动态场景两幅不同曝光图像,依据累计直方图拓展原则分别进行动态范围拓展,并采用像素级融合方法对动态范围拓展的序列图像进行融合。实验表明,动态范围拓展融合方法可满足低照度动态场景下获取高动态范围图像的应用要求,获得更佳的成像质量。 贺理 陈果 郭宏 金伟其关键词:高动态范围图像 图像融合 非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究 2014年 研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题,对比讨论了传统的均匀掺杂、指数掺杂、幂函数掺杂情况下发射层材料量子效率情况。 罗美娜 白廷柱 任彬 曲晓霞 彭岔霞 郭晖关键词:量子效率 微光夜视 InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算 被引量:1 2015年 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据KramersKronig关系推出标准InGaAs材料光吸收系数。最后,结合转移电子光阴极量子效率模型,在给定P型标准InGaAs材料非平衡少子扩散长度分别是0.8、1.0、1.2、1.4、1.6和2.0mm的条件下,得到对能量在0.780260~0.820273eV区间内、间距为0.002eV的不同光子能量优化的InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度。 任彬 石峰 郭晖 焦岗成 胡仓陆 成伟 徐晓兵 王书菲关键词:密度泛函理论 GaAs光电阴极Cs,O吸附研究 被引量:2 2016年 提出了基于第一性原理的密度泛函理论框架下的广义梯度近似投影缀加波赝势法,在结构优化的基础上采用平板模型计算了GaAs(110)表面单一吸附0.5 ML Cs元素、单一吸附0.5 ML O元素及0.5 ML Cs、0.5 ML O共吸附系统的特定吸附位、吸附系统总能及吸附系统的电子结构。吸附系统总能的计算结果对比及电子结构图表明:当Cs、O元素吸附量在GaAs(110)表面达到Θ=1 ML时,它们并非各自在表面形成局域畴形态的竞争性共化学吸附,而是将在表面形成混合均匀相的协同共化学吸附。采用偶极子校正进一步计算三种吸附系统的功函数分别是4.423 e V、5.749 e V、4.377 e V,从而得出GaAs光电阴极制备过程中提高并保持光电阴极发射性能的方法及机理。 任彬 石峰 郭晖 焦岗成 程宏昌 王龙 牛森 袁渊关键词:电子结构 功函数 光子计数法测量微光像增强器背景噪声分布特性 被引量:2 2013年 针对微光像增强器噪声特性,理论上分析了微光像增强器背景光子噪声特点。设计了采用光子计数法及使用类针孔微弱光照度计对微光像增强器的背景噪声进行测量的方案。在三代微光像增强器信噪比测量装置中,采用类针孔微弱光照度计对微光像增强器无光照时荧光屏上Ф0.2mm光斑的照度进行了测量实验。对于空间特性,以荧光屏中心点为圆心的同心圆上照度值不均匀性小于1%;对于时间特性,在微光像增强器工作大约270min后,荧光屏中心点照度值会达到稳定状态。以各个空间点和时间点照度值为基础分析了无光照时像增强器背景噪声在时间和空间的分布特性,为评价微光像增强器的噪声特性提供了数据支持。 史继芳 崔东旭 贺英萍 解琪 李宏光 孙宇楠 曹锋关键词:光子计数 微光像增强器 噪声特性 半导体光电阴极的研究进展 被引量:3 2022年 半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结,并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。 张益军关键词:光电阴极 GAAS GaAs(110)表面Cs,O元素协同共化学吸附研究 基于密度泛函理论框架下广义梯度近似投影缀加平面波赝势法,采用平板模型计算了GaAs(110)表面单一吸附Cs元素、单一吸附O元素及Cs、O共吸附系统的特定吸附位、吸附系统总能及吸附系统的电子结构。总能的计算结果及电子结构... 任彬 石峰 郭晖 焦岗成 程宏昌 王龙 牛森 袁渊关键词:化学吸附 电子结构 功函数 文献传递 基于等效照明的主动近红外成像系统性能评价 2013年 用于交通监控或区域安防监控的主动近红外摄像机是夜视系统的一个重要应用,作用距离是它重要的性能指标和进行系统设计的主要依据。针对主动近红外成像系统的设计与分析需要,提出一种用于评价主动近红外成像系统作用距离的方法,用于判定系统对给定距离上的目标的探测能力。该方法在利用大气传输理论计算主动照明光源在标称距离处目标上的辐照度分布的基础上,采用等效照明的原理实现了对辐照度分布的近距离模拟;结合约翰逊准则和成像理论评价了待测系统对标称距离处目标的探测能力。根据该方法对主动近红外摄像机进行了检测,并与室外实测结果进行了对比分析;检测方法适用于一般的光电成像系统。 宋俊儒 王霞 金伟其 卢玉华 刘荐轩 李红升关键词:成像系统 微光夜视 蓝宝石/SiO_2/AlN/GaN多层结构表面热应力仿真分析 2017年 为了研究蓝宝石/SiO_2/AlN/GaN光阴极组件外延片热应力分布及影响因素,以直径d为φ40 mm的GaN外延片为研究对象,利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真,验证了仿真模型的合理性。分析了外延片径向和厚度方向的应力分布,结果显示:在1200℃的生长温度下,径向区域内的热应力分布比较均匀,热应力变化范围为±1.38%;生长温度在400℃到1200℃范围内,外延层表面应力与生长温度呈近似正比关系。分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和SiO_2、AlN过渡层厚度对表面热应力的影响。研究成果可为该类外延片生长工艺研究和低应力外延片的筛选标准制定提供借鉴。 陈靖 程宏昌 吴玲玲 冯刘 苗壮关键词:热应力 氮化镓 改进“yo-yo”Cs/O交替激活方法对GaAs光阴极稳定性影响 被引量:3 2022年 为提高激活后GaAs光阴极的稳定性,延长微光夜视器件的工作寿命,围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究。通过对比传统“yo-yo”激活法和改进“yo-yo”激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异,发现采用改进“yo-yo”激活法的GaAs光阴极光谱灵敏度更高且稳定性更好。利用四极质谱仪监测真空腔内残气成分和分压强变化,基于衰减模型拟合光电流实验曲线,求得不同残气成分对GaAs光阴极性能衰减影响的权重因子。结果表明水蒸气和二氧化碳的影响最大,甲烷和一氧化碳次之,氢气几乎不产生影响,而其它碳氢有机分子也会产生负面影响。总体看来,改进的“yo-yo”激活法对GaAs光阴极表面吸附含氧气体分子造成的性能衰减具有明显的改善效果,这将有助于提高微光夜视器件中GaAs光阴极的稳定性。 焦岗成 张锴珉 张益军 郭欣 石峰 程宏昌 闫磊 詹晶晶关键词:残余气体 稳定性 光谱响应