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北京市自然科学基金(4102003)

作品数:4 被引量:7H指数:1
相关作者:汪加兴韩军邓旭光邢艳辉范亚明更多>>
相关机构:北京工业大学中国科学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 1篇单偏振
  • 1篇折射率
  • 1篇退火
  • 1篇偏振
  • 1篇腔面
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇发射激光器
  • 1篇MULTI
  • 1篇SI
  • 1篇SINGLE...
  • 1篇SIO2薄膜
  • 1篇SI衬底
  • 1篇VERTIC...
  • 1篇ALN
  • 1篇EMITTI...
  • 1篇GAN
  • 1篇MOCVD

机构

  • 3篇北京工业大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇邢艳辉
  • 2篇邓旭光
  • 2篇韩军
  • 2篇汪加兴
  • 1篇董晨
  • 1篇邢政
  • 1篇李影智
  • 1篇王菲
  • 1篇王逸群
  • 1篇朱建军
  • 1篇关宝璐
  • 1篇张峰
  • 1篇姜春宇
  • 1篇陈翔
  • 1篇方运
  • 1篇范亚明

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
795nm单偏振稳定垂直腔面发射激光器的研究被引量:1
2019年
基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出。实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10dB以上,最高达到16.56dB;当氧化孔径为20μm×18μm时,偏振抑制比也可以达到15.96dB。最终,得到偏振抑制比为16dB、水平发散角为8.349°、垂直发散角为9.340°的单偏振稳定输出795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL),为实现单偏振高光束质量VCSEL激光光源提供了实验基础。
梁津关宝璐胡丕丽张峰董晨王菲王志鹏
关键词:垂直腔面发射激光器单偏振
Single-mode low threshold current multi-hole vertical-cavity surface-emitting lasers被引量:1
2012年
A multi-hole vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) operating in stable single mode with a low threshold current was produced by introducing multi-leaf scallop holes on the top distributed Bragg-refleetor of an oxidation- confined 850 nm VCSEL. The single-mode output power of 2.6 mW, threshold current of 0.6 mA, full width of half maximum lasing spectrum of less than 0.1 nm, side mode suppression ratio of 28.4 dB, and far-field divergence angle of about 10% are obtained. The effects of different hole depths on the optical characteristics are simulated and analysed, including far-field divergence, spectrum and lateral cavity mode. The single-mode performance of this multi-hole device is attributed to the large radiation loss from the inter hole spacing and the scattering loss at the bottom of the holes, particularly for higher order modes.
赵振波徐晨解意洋周康刘发沈光地
退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
2013年
用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1 100℃退火处理后,正的折射率变化量和负的体积变化量随着GeH4流量增加而增大,Ge-O-Ge键增多;而通过900℃退火处理后,折射率没有随着GeH4流量增加而增大;薄膜的表面粗糙度随着退火温度升高而降低。研究结果表明,SiO2薄膜中Ge掺杂过量,其折射率反常下降;通过1 100℃退火处理后,折射率随着GeH4流量增加而增大,折射率的增大主要是由于薄膜密实化和Ge-O-Ge键的形成。
汪加兴韩军邢艳辉邓旭光王逸群邢政姜春宇方运
关键词:折射率退火
AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响被引量:5
2013年
采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响。对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)随着厚度增加而变大。对GaN的测试表明,所有GaN样品在垂直方向处于压应变状态,并且随AlN厚度增加而略有减弱。GaN的(0002)_ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着AlN成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12)_ω扫描的FWHM随着厚度增加而有所下降。(10-12)_ω扫描的FWHM与GaN的刃型穿透位错密度相关,A1N成核层的厚度较大时会降低刃型穿透位错密度,并减弱c轴方向的压应变状态。
邓旭光韩军邢艳辉汪加兴范亚明陈翔李影智朱建军
关键词:GANSI衬底
共1页<1>
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