南通市应用研究计划项目(K2007016)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：罗向东王玉琦王建农姬长建刘焱华更多>>
- 相关机构：南通大学香港科技大学中国科学院更多>>
- 发文基金：南通市应用研究计划项目南通大学自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 110V体硅LDMOS器件研究被引量：1
- 2008年
- 利用SILVACO TCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了110 V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在漏端表面发生击穿;衬底浓度低对提高开态击穿电压有一定效果,但低浓度衬底难以在CMOS工艺中使用;场氧与P阱和漂移区的PN结界面距离在零或者略大于零时器件耐压性有最优值;栅极板长度存在最优值,栅极板过长或过短都将使得器件的击穿电压有所降低.
- 罗向东孙玲陈海进刘焱华孙海燕徐炜炜陶涛程梦璋景为平
- 关键词：LDMOS击穿电压仿真
- 低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象被引量：3
- 2008年
- 通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同GaMnAs材料在室温和低温下的光调制光谱,进一步说明GaMnAs材料中空穴浓度对反射光谱的低能振荡现象的影响.
- 罗向东姬长建王玉琦王建农
- 关键词：GAMNAS反射光谱折射率
- 一种传感器信号处理电路测试方法研究
- 在分析一种传感器信号处理电路工作原理的基础上,提出了判断电路是否合格的测试指标;并针对所选用数字测试系统的特点,设计了该电路各项指标的测试方法。虽然该电路属于数模混合电路,但通过设计合理的测试方案,可以在数字测试系统下完...
- 刘炎华景为平孙玲
- 关键词：混合信号可靠性
- 文献传递
