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国家高技术研究发展计划(10075040)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：许华吴卫东张继成王占山更多>>
相关机构：中国工程物理研究院同济大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇溅射
  • 1篇AFM
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇同济大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 1篇王占山
  • 1篇张继成
  • 1篇吴卫东
  • 1篇许华

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Au／Gd多层膜的制备和表征被引量：1
2005年
介绍了用磁控溅射法制备Au／Gd（金／钆）多层膜的初步实验结果。在摸索出的工艺条件下，采用计算机定时控制膜厚的方法，按照设计的周期结构（设计周期厚度10nm．Au／Gd=5nm／5nm，总周期数为25）制备了界面清晰、表面光滑的多层膜样品。X—Ray衍射仪小角衍射测试的周期厚度为9、95nm.和设计值十分吻合，原子力显微镜（AFM）的检测表明，薄膜的表面粗糙度小于1、7nm。
张继成王占山吴卫东许华
关键词：磁控溅射
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共1页<1>
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