福建省自然科学基金(2012D110)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 常温和紫外光照条件下氧化钨纳米材料对NO_2的气敏性能研究
- 2013年
- 描述了通电氧化法制备纳米WO3粉末,研究了在常温、紫外光激发条件下纯WO3气敏元件对NO2气体的气敏性能,获得了气敏元件在1.28W/cm2紫外光照下对50 mg/L的NO2的灵敏度S=15.4,响应时间τres=2.5s,恢复时间τrec=18.
- 余华梁陈曦矅
- 关键词：气敏性能常温
- 自旋密度光栅和本征GaAs量子阱中的电子自旋双极扩散（英文）被引量：2
- 2013年
- 为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响,提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬态自旋光栅和瞬态自旋密度光栅,并用于研究电子自旋扩散和电子自旋双极扩散。实验测得自旋双极扩散系数D as=25.4 cm2/s,低于自旋扩散系数D s=113.0 cm2/s,表明自旋密度光栅中电子自旋扩散受到空穴的显著影响。
- 余华梁陈曦矅狄俊安
- 关键词：GAAS量子阱飞秒激光
- 本征砷化镓量子阱的瞬态自旋光栅中电子自旋扩散研究
- 2013年
- 利用瞬态自旋光栅方法,在室温下实验研究了本征GaAs量子阱中电子自旋扩散的动力学过程.测得了不同周期的瞬态自旋光栅的衰减率,根据普遍认同的公式:Γ=q2Ds+l/τs,计算得到电子自旋扩散系数Ds=104 cm2/s,以及电子自旋弛豫时间τs=46 ps.测得的电子自旋扩散系数与文献报道的N型GaAs量子阱的实验测量结果相吻合,说明样品导电类型对电子自旋扩散系数没有显著影响.而电子自旋弛豫时间τs=46 ps与由饱和吸收方法测得的结果:τs=103 ps有明显区别.进一步分析了自旋光栅调制度随时间的衰减规律,对自旋极化衰减率公式:Γ=q2Ds+l/τs进行了修正.
- 余华梁
- 电子自旋弛豫时间测量中电子自旋扩散的影响
- 2013年
- 在光注入电子自旋包的不同位置进行时间分辨的泵浦-探测实验时,发现电子自旋信息的退化率不同.揭示了电子自旋扩散对准确测量电子自旋弛豫时间的影响,获得了自旋输运动力学方程的解.对该解进行研究发现,电子自旋扩散对电子自旋弛豫时间测量值的影响可以归结为两个含时间的因子,其中一个因子与泵浦光斑中心和探测光斑中心的距离有关,另一个因子与泵浦光斑尺寸有关.提出了自旋弛豫时间测量实验中消除扩散影响的条件:1)泵浦光斑和探测光斑中心重叠;2)泵浦光斑尺寸足够大.结果表明,泵浦光斑尺寸越大,探测光斑中心越接近于泵浦光斑的中心,则扩散对自旋弛豫时间测量值所造成的影响就越小.
- 余华梁陈曦矅
