教育部科学技术研究重点项目(205017)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学冶金工程更多>>
- 半导体硅熔体的有效(磁)黏度被引量：1
- 2008年
- 用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁场,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的有效黏度(磁黏度).在温度一定时,测得的磁黏度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧.1490—1610℃温度区间内,磁黏度有异常变化.当引入磁场强度为0·068T时,熔硅有效黏度比原黏度增加2—3个数量级,证明引入磁场是硅单晶大直径生长时,抑制熔硅热对流的有效手段.
- 张雯刘彩池王海云徐岳生石义情
- 半导体硅熔体电导率的间接测定
- 晶体生长向大直径发展应该重视对环境相的研究,以半导体硅单晶生长为例,晶体和熔体(浓厚的环境相)本来是对立统一的两个方面,长期以来,由来追求晶体质量和成品率,忽视了环境相的变化和对晶体的影响。在对晶体大直径生长计算机模拟过...
- 徐岳生刘彩池王海云张雯石义情
- 文献传递
- 水平磁场下硅熔体的有效粘度
- 2008年
- 用钕铁硼（NdFeB）永磁材料构建“魔环”结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的磁粘度（有效粘度）。在温度一定时,粘度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系。熔硅温度升高,磁场影响加剧,抛物线更加陡峭。1510～1590℃温度区间内,粘度有异常变化。
- 徐岳生张雯王海云刘彩池石义情
- 关键词：钕铁硼永磁
- 半导体硅熔体电导率的间接测量被引量：3
- 2008年
- 本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=（μBb）2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率。其结果与用其他方法测试的数值吻合。用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420～1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义。
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- 高温熔体粘度仪在半导体熔体研究中应用被引量：1
- 2006年
- 本文介绍带可调水平磁场的高精度高温熔体粘度测量仪在半导体熔体粘度测试中的应用。该仪器试验用料少、测试温度范围宽、磁场均匀可调、精度高。利用回转振动法对硅、锗等半导体熔体的粘度进行测试分析,获得许多有意义的结果。
- 石义情张雯王海云刘彩池徐岳生
- 关键词：硅锗粘度
- 半导体硅熔体的磁粘度
- 硅单晶向大直径化发展,投料量急剧增加(制备Φ12英寸硅单晶,投料量应为300公斤)。硅熔体,作为晶体生长的环境相,愈来愈受到重视。大体积熔硅强烈热对流,将严重影响硅单晶质量,甚至破坏单晶生长。向熔硅所在空间引入磁感应强度...
- 徐岳生张雯王海云刘彩池石义情
- 关键词：钕铁硼永磁
- 文献传递
