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国家自然科学基金(50376067)

作品数：28 被引量：167H指数：8
相关作者：闻立时巴德纯廖国进沈辉刘斯明更多>>
相关机构：中国科学院金属研究所中山大学东北大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅科学基金辽宁省教育厅科技攻关项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术动力工程及工程热物理电气工程更多>>

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 10篇会议论文

领域

  • 17篇一般工业技术
  • 12篇理学
  • 4篇动力工程及工...
  • 4篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 20篇溅射
  • 16篇磁控
  • 16篇磁控溅射
  • 12篇溅射制备
  • 10篇光学
  • 10篇发光
  • 9篇光学性
  • 9篇光学性质
  • 9篇磁控溅射制备
  • 8篇直流反应磁控...
  • 8篇反应磁控溅射
  • 8篇AL2O3
  • 7篇电池
  • 7篇光致
  • 6篇光致发光
  • 5篇氧化铝薄膜
  • 5篇氧化钛薄膜
  • 5篇二氧化钛薄膜
  • 5篇AL
  • 5篇CE

机构

  • 17篇中国科学院金...
  • 15篇中山大学
  • 12篇东北大学
  • 9篇辽宁工业大学
  • 8篇北京航空航天...
  • 8篇中国科学院
  • 7篇东北师范大学
  • 6篇辽宁工学院
  • 5篇华南理工大学
  • 4篇沈阳航空工业...
  • 2篇长春理工大学
  • 2篇中国石油天然...
  • 1篇沈阳农业大学

作者

  • 17篇闻立时
  • 16篇廖国进
  • 14篇沈辉
  • 13篇巴德纯
  • 6篇刘斯明
  • 6篇闫绍峰
  • 5篇王贺权
  • 4篇阎绍峰
  • 4篇刘正义
  • 4篇柳锡运
  • 4篇汪保卫
  • 3篇郭志球
  • 3篇胡芸菲
  • 3篇梁宗存
  • 2篇朱振华
  • 1篇陈明
  • 1篇班群
  • 1篇戴晓春
  • 1篇王磊
  • 1篇邹禧武

传媒

  • 3篇华南理工大学...
  • 3篇真空
  • 3篇Acta M...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇物理学报
  • 2篇材料导报
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇第八届全国真...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇东北大学学报...
  • 1篇能源工程
  • 1篇沈阳农业大学...
  • 1篇沈阳师范大学...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇2005’全...

年份

  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 9篇2007
  • 4篇2006
  • 11篇2005
  • 1篇2004
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
溅射制备Al2O3薄膜的光学性能研究
采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了AlO薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其它物理特性的方法。对AlO薄膜进行透射谱测量,通过对薄膜折射率、吸收系数、膜厚度与入射光波长...
闫绍峰骆红
关键词：AL2O3薄膜光学性质折射率
文献传递
温度对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制各TiO薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的条件下,通过控制温度改变TiO薄膜的光学性质。应用n&k Analyze...
王贺权沈辉巴德纯汪保卫闻立时
关键词：二氧化钛薄膜直流反应磁控溅射温度
文献传递
直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响被引量：4
2008年
应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、靶基距为190 mm、温度为60℃的条件下制备的TiO2薄膜的减反射效果最好。
王贺权巴德纯沈辉闻立时
关键词：直流反应磁控溅射二氧化钛薄膜太阳电池反射率
靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响被引量：13
2005年
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
王贺权沈辉巴德纯汪保卫闻立时
关键词：二氧化钛薄膜直流反应磁控溅射反射率
温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响被引量：3
2007年
多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法（RTCVD）制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30～40μm,沉积速率达3～7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明：当沉积温度在900～1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.
胡芸菲沈辉柳锡运郭志球刘正义
关键词：多晶硅沉积温度晶体生长晶体取向太阳电池
Green Photoluminescence from Al2O3:Tb films by Medium Frequency Reactive Magnetron Sputtering
Terbium-doped aluminum oxide films（Al2O3:Tb） were deposited by the medium frequency reactive magnetron sputter...
LIAO Guo-jin~(1,*) LUO Hong~2 YAN Shao-feng~1 (1.Faculty of Mechanical Engineering and Automation,Liao-ning University of technology,jinzhou 121001.China
关键词：PHOTOLUMINESCENCEAL2O3TB
温度对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响被引量：5
2005年
应用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定的电源功率下 ,氩气流量为 4 2 .6sccm ,氧流量为 15sccm ,溅射时间为 30分钟的条件下 ,通过控制温度改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer 12 0 0测量 ,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动 ;温度对消光系数k影响不大 ;当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大 ,当温度达到 2 4 0℃左右时薄膜的折射率明显降低。通过XRD和SEM表征发现 ,随着温度的增加TiO2 的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相 ,薄膜表面的颗粒由多变少 ,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑。
王贺权沈辉巴德纯汪保卫闻立时
关键词：二氧化钛薄膜直流反应磁控溅射温度
铈掺杂氧化铝薄膜的蓝紫色发光特性被引量：7
2008年
应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.X射线光电子谱(XPS)检测显示薄膜中有Ce3+生成.这些薄膜的光致发光峰是在374 nm附近,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射蓝紫色光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.
廖国进闫绍峰巴德纯
关键词：光致发光AL2O3
用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量被引量：2
2005年
以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高.
胡芸菲沈辉王磊邹禧武班群梁宗存刘正义闻立时
关键词：区熔颗粒硅带多晶硅薄膜平整度
太阳能电池单晶硅表面织构化正交试验被引量：14
2006年
在单晶硅太阳能电池的制备过程中,经常利用碱溶液对电池表面进行“织构”,以形成陷光,增强对光的吸收.在NaOH溶液中制备硅片时,由于各个晶面的腐蚀速率不同,在硅片表面会形成类“金字塔”形绒面.碱溶液浓度、添加剂用量、反应温度以及时间等都会影响到绒面的形成.文中通过正交试验方法,分析了各个因素对绒面形成的影响,得出了最佳的试验条件为:碱溶液浓度为2.5%;反应温度为95℃;添加剂用量为5%;腐蚀时间为30m in.
沈辉柳锡运
关键词：太阳能电池单晶硅正交试验织构化
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