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国家自然科学基金(69789601)

作品数：9 被引量：18H指数：3
相关作者：童玉珍张国义陆大成杨志坚王成新更多>>
相关机构：中国科学院北京大学天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 3篇化物
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 3篇GAN
  • 3篇MOVPE
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化镓
  • 2篇热力学
  • 2篇热力学分析
  • 2篇蓝光
  • 2篇MOCVD
  • 2篇INGAN
  • 1篇异质结
  • 1篇英文
  • 1篇应力
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇双异质结
  • 1篇迁移

机构

  • 6篇中国科学院
  • 4篇北京大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 4篇张国义
  • 4篇童玉珍
  • 3篇陆大成
  • 2篇韩培德
  • 2篇段树坤
  • 2篇杨志坚
  • 2篇刘祥林
  • 2篇王成新
  • 1篇丁晓民
  • 1篇卢励吾
  • 1篇李月霞
  • 1篇汪度
  • 1篇王晓晖
  • 1篇王良臣
  • 1篇王占国
  • 1篇秦志新
  • 1篇王存达
  • 1篇金泗轩
  • 1篇沈君
  • 1篇闫华

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇发光学报
  • 2篇高技术通讯
  • 1篇光电子．激光

年份

  • 3篇2001
  • 6篇2000
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高迁移率AlGaN-GaN二维电子气
2000年
用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0nm ) /GaN(6 0 0nm)异质结的室温电子迁移率达 10 2 4cm2 /Vs ,而GaN体材料的室温电子迁移率为 390cm2 /Vs;该异质结的77K电子迁移率达 350 0cm2 /Vs ,而GaN体材料的电子迁移率在 185K下达到峰值 ,为4 90cm2 /Vs ,77K下下降到 2 50cm2 /Vs。 2DEG的质量属国内领先水平 ,并接近国际领先水平。
刘祥林王成新韩培德
关键词：GAN2DEGMOVPE
P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1
2000年
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
刘祥林王成新韩培德陆大成王晓晖汪度王良臣
关键词：P型GANALGAN双异质结蓝光发光二极管
GaN薄膜的微区Raman散射光谱被引量：6
2000年
报道了低压 MOCVD生长的同一 Ga N薄膜不同位置的微区 Raman散射光谱 .观测到了微区结构不完整对 Raman谱的影响 .通过 X射线衍射分析 ,证实了该样品晶体质量是不均匀的 ,而且微结构缺陷的存在是导致回摆曲线展宽的主要原因 .结合 Hall测量结果 ,对 Ga N薄膜的 Al( L O)模式的移动进行了电声子相互作用分析 ,认为 A1 ( LO)模式的移动可能与电声子相互作用无关 ,而是受内部应力分布不均匀的影响所致 .
童玉珍张国义MingS.LiuL.A.Bursill
关键词：氮化镓MOCVD
MOVPE生长氮化物四元系的热力学考虑
2001年
本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程是用摩尔量来计算的.我们计算了在不同生长条件下,与GaN晶格匹配的富Ga的GaxAlyIn1-x-yN合金组分和输入的Ⅲ族金属有机化合物摩尔比之间的关系.计算结果表明Al和Ga优先于In进入固相.为了增加固相的In含量应适当降低生长温度、使用氮载气、提高输入反应管的金属有机化合物的分压、采用高V/Ⅲ比值和降低氨分解率.
陆大成段树坤
关键词：MOVPE
生长氮化物四元系的热力学考虑(英文)
2001年
本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x -yN的膺热力学分析模型。假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3 之间反应生成的。为了计算氨分解的影响 ,在模型中引入了氨分解率的概念 ,质量守恒方程是用摩尔量来计算的。我们计算了在不同生长条件下 ,与GaN晶格匹配的富Ga的GaxAlyIn1-x -yN合金组分和输入的Ⅲ族金属有机化合物摩尔比之间的关系。计算结果表明Al和Ga优先于In进入固相。为了增加固相的In含量应适当降低生长温度、使用氮载气、提高输入反应管的金属有机化合物的分压、采用高Ⅴ/Ⅲ比值和降低氨分解率。
陆大成段树坤
关键词：MOVPE
蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究被引量：2
2000年
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中 ,与 Zn掺杂有关的发光峰的强度受该生长温度下 Zn在 In Ga N中的溶解度的限制。利用我们的实验方法 ,使得 In Ga N有源区的发光波长在蓝光区内可任意调节 ,并给出了得到的几个典型的荧光谱。
童玉珍李非杨志坚金泗轩丁晓民张国义
关键词：发光性质发光二极管蓝光
InGaN混溶隙的计算被引量：3
2000年
采用正规溶液模型和价带力 (Valence- Force- Field)模型 ,引入晶格失配应力对系统(In Ga N/ Ga N)自由能的影响 ,考虑相互作用系数和弹性常数对组分的依赖 ,计算了 In Ga N/ Ga N体系的混溶隙 .结果表明 ,应力的存在使得 In Ga N的混溶隙向富 In N方向移动并产生不对称 ,体系发生相分离的最高临界温度也降低到 1 0 0 0 K左右 .同时 ,深入计算了有效弹性常数对混溶隙的影响 .并进一步把该计算推广到 Inx Ga1 -x N/ Iny Ga1 -y
童玉珍陈英勇张国义
关键词：应力氮化镓
GaN发光二极管的负电容现象被引量：6
2000年
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性 ,由此可以同时测量结电容和串联电阻 ,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下 ,GaN二极管的结电容具有负值 ,并且测试频率越低 ,正向偏压越大 ,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子
沈君王存达杨志坚秦志新童玉珍张国义李月霞李国华
关键词：GAN发光二极管负电容
MOCVD生长的InGaN合金的性质被引量：1
2001年
对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含量和 PL 强度。当 / 族比率大约 5 0 0 0时 ,75 0℃生长的样品背景载流子浓度约为 2 .2 1× 10 1 8cm- 3,In含量约为 11.5 4% .其室温 394nm的带边峰 ,半高宽约为 116 me V,束缚能约为 32 .4m e V,可能与束缚激子发光相关 .该样品禁带宽度随温度变化的温度系数 α (d E/ d T)约为 0 .5 6× 10 - 3e V/ K.较高温度 (80 0℃和 90 0℃ )生长的样品 In含量较低 ,PL 强度较弱 ,且在样品表面析出了金属
闫华卢励吾王占国
关键词：MOCVDINGAN光致发光扫描电镜
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