国家自然科学基金(29771024)
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
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- 相关机构：四川大学怀化学院清华大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 氧等离子体处理条件对poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响被引量：1
- 2002年
- 氧等离子体处理高阻P型、〈10 0〉硅片上的聚硅烷涂层 ,制备了SiO2 /Si结构。用C V技术测量其MOS结构平带电压 ,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而变化。平带电压最小可达 - 0 .5 5～ - 0 .88V ,比同一环境热氧化法制备的SiO2
- 向少华谢茂浓张明高廖伟
- 关键词：平带电压
- 氧等离子体处理聚硅烷涂层制备二氧化硅薄膜
- 2002年
- 用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜 红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为 10 75cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动 ,可至 10 88cm-1 光电子能谱测得薄膜中的O1s和Si2p的电子结合能分别为 5 33 0ev和 10 3 8ev ,硅氧原子接近化学计量比
- 向少华谢茂浓
- 关键词：二氧化硅薄膜
- 高分子量的枝状聚硅烷的合成与表征被引量：7
- 2002年
- 根据硅氢加成反应机理设计了“顺点滴式”工艺 ,高效、低耗地合成了甲基苯乙基二氯硅烷和甲基正己基二氯硅烷 .根据Wurtz还原偶联反应原理 ,采用“预聚”和“混聚”两种工艺分别合成枝状共聚硅烷 ,发现运用“预聚”工艺可以合成分子量很高的枝状聚硅烷 .
- 彭志坚司文捷傅鹤鉴曾红梅苗赫濯
- 关键词：预聚硅氢加成反应分子量
- 一种制备SiO_(2)膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层被引量：2
- 2000年
- 作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层 ,成功地制备了SiO2 膜 由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数 ,随氧等离子体处理时间的不同在 10 65～ 10 88cm- 1范围变化 ;XPS谱给出Si2 p的结合能为 10 3.3～ 10 3.5eV ,硅氧原子比为 1∶1 99;激光椭园偏振仪测得折射率在 1.30～ 1.55范围 ;MOS电容的高频C V特性曲线表明 ,平带电压为正 ,计算得氧化物电荷的电性为负 ,密度为 6.6× 10 10 ～ 8.8× 10 11cm- 2 ,其大小可以通过改变处理条件进行控制 ;BT实验表明 ,可动电荷密度为 ( 3～ 6)× 10 10 cm- 2 ,这种新型的SiO2
- 谢茂浓彭志坚唐琳傅鹤鉴
- 关键词：聚硅烷氧等离子体处理氧化物电荷
- 电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响
- 2003年
- 利用剂量为 10 13 cm～ 10 16 cm- 2 ,能量为 0 .4Mev～ 1.8Mev的电子束辐照Poly -SiO2 Si结构 ,对辐照后样品进行了C -V特性曲线测试 .测试结果表明 ,高能电子束辐照Poly -SiO2 Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加而发生漂移 ,但其漂移量低于同一实验环境中干氧氧化生长的SiO2
- 向少华谢茂浓张明高
- 关键词：平带电压聚硅烷抛光硅片
- 氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
- 2001年
- 氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化制备的ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构平带电压小得多。
- 向少华谢茂浓张明高廖伟彭志坚傅鹤鉴
- 关键词：平带电压
