微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(9140C1405020607)
- 作品数：6 被引量：17H指数：3
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- 相关机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 宽带直接接触式RF MEMS开关被引量：4
- 2008年
- 本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。
- 郁元卫贾世星朱健陈辰
- 关键词：直接接触式宽带
- Ka波段硅基MEMS滤波器被引量：6
- 2008年
- 滤波器是微波毫米波电路中的一个重要部件,本文介绍了采用基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS滤波器。设计制作了MEMS滤波器的核心部件谐振器,测试结果显示该谐振器无载Q值大于180,频率误差控制在2%以内。以此为基础采用理论计算与实验设计相结合的方法设计了一个Ka波段硅基MEMS滤波器。滤波器中心频率为30.3GHz,插入损耗1.5dB,相对带宽5%。芯片尺寸为10.0mm×2.8mm×0.4mm。
- 张勇郁元卫贾世星朱健陈辰
- 关键词：基片集成波导KA波段
- MEMS层叠式毫米波天线设计被引量：1
- 2008年
- 为了提高天线带宽,改善天线性能,提出并设计了一种基于微机械工艺的层叠式口径耦合毫米波天线,该天线中心频点为35GHz,利用有限宽地共面波导—微带(FGCPW-MS)进行馈电。分析天线结构中的几个关键参数对天线带宽性能的影响,利用HFSS三维电磁场仿真软件进行天线模型仿真。结果表明,该天线带宽为11.8%,增益为7.8dB,天线辐射效率为71%。与传统微带天线相比,该天线在带宽、增益等方面均到改善,且易与其他有源元件进一步集成。
- 侯芳朱健郁元卫吴璟陈辰
- 关键词：微机械微带天线带宽
- Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3溅射靶材的烧制和性能分析
- 2008年
- 介绍了BST压电陶瓷靶的烧制方法,使用添加剂改善了Ba0.6Sr0.4TiO3靶材的结构和性能,解决了BST靶材热稳定性差的问题,同时优化了BST靶材的晶化效果,提高介电性能。实验通过XRD衍射和P-E试验分析了所制BST溅射靶的微结构和铁电特性。
- 张龙朱健卓敏
- 关键词：BST压电陶瓷
- LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺被引量：5
- 2008年
- 对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系。实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率。生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1000。
- 王立峰贾世星陆乐姜理利
- 关键词：LPCVD多晶硅
- 基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术被引量：1
- 2008年
- 三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件。总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀。三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础。
- 吴璟巩全成贾世星王敏杰张勇朱健
