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溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响被引量：10: 2009年; 采用射频磁控溅射方法,在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜,研究了溅射气压(0.2～1.5Pa)对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响。AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明:随着溅射气压的增大,ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质量提高,晶粒细化,薄膜表面更加致密,晶粒大小更加均匀;ZnO薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85%,其中在0.5～1.5Pa范围内其透过率高于90%;样品在高纯氮气气氛中经350℃,300s退火后,电阻率最低达到10-2Ω·cm量级。; 周继承李莉; 关键词：射频磁控溅射 ZNO薄膜溅射气压透明导电薄膜

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长沙市科技计划项目(K080101-11)