您的位置: 专家智库 > >

上海市科委纳米专项基金(0352nm009)

作品数:3 被引量:17H指数:2
相关作者:马学鸣石旺舟程文娟刘晓雪孙林林更多>>
相关机构:华东师范大学更多>>
发文基金:上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光特性
  • 1篇球磨
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇过渡层
  • 1篇发光
  • 1篇高能球磨
  • 1篇SI(100...
  • 1篇ALN
  • 1篇FE
  • 1篇磁性
  • 1篇磁学
  • 1篇磁学性质
  • 1篇TIN

机构

  • 3篇华东师范大学

作者

  • 3篇石旺舟
  • 3篇马学鸣
  • 2篇程文娟
  • 1篇刘宏玉
  • 1篇蒋冬梅
  • 1篇刘晓雪
  • 1篇周雄图
  • 1篇孙林林

传媒

  • 1篇华东师范大学...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Ni掺杂ZnO薄膜的荧光特性被引量:11
2006年
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在单晶Si衬底上制备了Ni掺杂的ZnO薄膜,通过VARAIN Cary-Eclips 500型荧光光谱仪研究了样品的荧光特性。观察到360和380 nm左右2个荧光峰。通过Ni掺杂,研究了360 nm左右荧光峰的起源。结果表明,随着靶材中Ni掺杂量的不同,荧光峰峰位不变,而相应的发光强度发生了明显的变化。当靶材中Ni∶ZnO的摩尔比Xs为5%时,样品中360 nm紫外荧光峰的发光强度最佳,表明360 nm左右荧光峰并不是重掺杂后杂质能级深入到导带的结果,有可能是起源于分裂的价带与导带间的复合跃迁。
刘晓雪程文娟马学鸣石旺舟
关键词:ZNO薄膜荧光特性
在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜被引量:6
2005年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在S i(100)上成功生长了高度c轴取向的A lN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能。结果表明,ZnO薄膜能在A lN过渡层上沿c轴准外延生长,采用A lN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高。
孙林林刘宏玉程文娟马学鸣石旺舟
关键词:氧化锌薄膜过渡层光致发光
高能球磨Fe-TiN间界面反应及磁性
2007年
利用X射线衍射(XRD)结合穆斯堡尔谱和宏观磁性测量研究了高能球磨Fe-TiN体系的界面反应机制及界面磁性.结果表明:通过高能球磨,部分Fe原子扩散到TiN晶粒中形成顺磁相TiN(Fe),Fe原子的扩散溶解随球磨时间增加而饱和.同时,部分TiN在球磨过程中分解成Ti和N并溶入Fe晶格形成铁磁性的Fe(Ti,N)固溶体.Ti和N原子溶入后使样品饱和磁化强度产生变化.随固溶量的增加,饱和磁化强度先增大后减小.
周雄图蒋冬梅马学鸣石旺舟
关键词:高能球磨磁学性质
共1页<1>
聚类工具0