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国家重点实验室开放基金(9140C03020307DZ15)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：陈刚恩云飞黄云柏松崔晓英更多>>
相关机构：信息产业部电子第五研究所南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇稳定性
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基结
  • 1篇SIC_ME...

机构

  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 1篇崔晓英
  • 1篇柏松
  • 1篇黄云
  • 1篇恩云飞
  • 1篇陈刚

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究
2008年
SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。
崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松
关键词：肖特基结稳定性
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