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国家自然科学基金(50532080): 作品数：14 被引量：46H指数：5; 相关作者：杜国同张宝林胡礼中张贺秋董鑫更多>>; 相关机构：大连理工大学吉林大学马里兰大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计被引量：3: 2008年; 采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)p-Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响。通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源温度和氧气流量3个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响。结果表明,生长温度对薄膜光学质量的影响最大,其余依次为氧气流量和锌源温度,同时,通过分析还得到了最佳组合工艺。结合面探X射线衍射仪,分析了薄膜的结晶质量,发现在优化的工艺条件下制备出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量。; 李香萍张宝林申人升董鑫杜国同; 关键词：金属有机化学气相沉积正交试验设计氧化锌

CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究: 2010年; 采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.; 于东麒陈希张贺秋胡礼中乔双双孙开通; 关键词：量子点

p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性被引量：5: 2008年; 通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到p型的MgxZn1-xO薄膜。退火前后XPS谱中As(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在As。电学测试结果表明:退火对样品的电阻率和载流子浓度的影响很大。这是长时间的氧气退火使得氧空位数目明显减少,从而使Zn—O键数量显著增加造成的。在样品的X射线衍射(XRD)谱中,p型样品的(002)衍射峰明显弱于n型样品。而在二者的光致发光(PL)谱中,都存在着很强的近带边发射(NBE)峰和较弱的深能级发射(DLE)峰,p型样品的NBE峰明显较弱而DLE峰却很强。这些现象是由于As原子的扩散,使薄膜中产生了新的缺陷能级,导致能级间的激子复合更加复杂。稳定的p型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础。; 董鑫赵旺张宝林李香萍杜国同; 关键词：光致发光

光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响被引量：8: 2008年; 采用光辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过X射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到改善。分析认为,这主要是由于光辅助有助于提高锌有机源的分解效率,并且高能量的光子可为反应吸附的原子提供足够高的激活能,从而易于其迁移到合适的晶格位置所致。同时我们还发现,有光照和无光照条件下制备的ZnO薄膜均呈n型导电,但有光照条件下制备的ZnO薄膜具有更低的本底载流子浓度,这将为日后通过降低自补偿实现p型掺杂提供一个很好的解决办法。; 李香萍张宝林董鑫张源涛夏晓川赵磊赵旺马艳杜国同; 关键词：氧化锌薄膜光学特性

氢化对ZnO发光性质的影响: 2008年; 通过低温光致发光(PL)谱研究氢化对ZnO发光性质的影响.氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体.研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度,特别是氢化以后I4峰(3.363eV)的强度增加.与未氢化样品相比较,氢化样品显示出不同的温度依赖PL谱.在4.2K温度下,测量了氢化样品表面以下不同深度处的PL谱.研究发现I4峰的强度和I4峰与I8峰强度比随深度变化而变化,说明了在引入的氢和浅施主之间的直接联系.一般而言,氢化会增强带边发射并钝化绿光发射.; 张源涛马艳张宝林杜国同; 关键词：ZNO 氢化 PL谱

衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的光学和电学特性的影响被引量：5: 2007年; 利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高,当衬底温度进一步升高后,ZnO薄膜的结晶质量开始下降。四个样品中,衬底温度为550℃的样品具有最清晰的规则点状RHEED图像和半高宽最窄的(0002)衍射峰。PL谱和Hall测量的结果表明,衬底温度为550℃的样品还具有最好的发光性质和最大的霍尔迁移率。; 赵子文胡礼中张贺秋孙景昌刘维峰骆英民霍炳至; 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积衬底温度

Anomalous temperature dependent photoluminescence properties of CdS_xSe_(1-x) quantum dots被引量：1: 2010年; CdSxSe1-x quantum dots were fabricated by a simple spin-coating heat volatilization method on InP wafer.Temperature dependent photoluminescence of CdSxSe1-x quantum dots was carried out in a range of 10-300 K.The integrated photoluminescence intensity revealed an anomalous behavior with increasing temperature in the range of 180-200 K.The band gap energy showed a redshift of 61.34 meV when the temperature increased from 10 to 300 K.The component ratio of S to Se in the CdSxSe1-x quantum dots was valued by both the X-ray diffraction data and photoluminescence peak energy at room temperature according to Vegard Law.Moreover,the parameters of the Varshni relation for CdS0.9Se0.1 materials were also obtained using photoluminescence peak energy as a function of temperature and the best-fit curve:α=(3.5 ± 0.1)10-4 eV/K,and β=210 ± 10 K (close to the Debye temperature θD of the material).; YU DongQiCHEN XiZHANG HeQiuHU LiZhongSUN JingChangQIAO ShuangShuangSUN KaiTongZHU JinXia

NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性: 2009年; 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及光致荧光光谱等测试技术分析了薄膜的结晶性质、表面形貌、光电性质及掺杂元素N的价键特性。结果表明,NH3的掺杂会影响ZnO薄膜的结晶特性,薄膜虽然仍是(002)面择优取向生长,但同时也出现了ZnO的(100)及(101)面生长。在薄膜生长时N元素掺入到ZnO薄膜当中,并形成N—Zn、N—H、N—C键。C、H杂质的存在,使掺N ZnO薄膜表现为高阻,同时也影响了薄膜的光致发光特性。; 马艳张宝林高福斌张源涛杜国同; 关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相沉积

无催化法制备ZnO纳米针的结构及光学特性被引量：5: 2008年; 采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO针状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)谱等对ZnO纳米针的形貌、晶体结构和光学特性表征。SEM图像观察到ZnO纳米针状结构具有一定的取向性。XRD测试在2θ=34.50°处观测到强烈的ZnO(002)衍射峰,证实ZnO纳米针具有较好的c轴择优取向。室温PL谱在379nm处观察到了较强的自由激子发射峰(半峰全宽为13.5nm),而微弱的深能级跃迁峰位于484nm,二者峰强比值为11∶1,表明生长的纳米ZnO结构具有较高的光学质量。; 于东麒李娇胡昊孙景昌张贺秋赵子文付强杜国同胡礼中; 关键词：脉冲激光沉积光致发光光谱 X射线衍射

自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列被引量：3: 2009年; 采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP(100)衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列.扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向.X射线衍射测试在34.46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有(002)择优取向.PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质.本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用.; 于东麒胡礼中李娇胡昊林颂恩张贺秋陈希付强乔双双; 关键词：氧化锌纳米棒阵列缓冲层自催化脉冲激光沉积

国家自然科学基金(50532080)

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