北京市教委重点学科建设项目(KZ200510005003)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委重点学科建设项目北京市人才强教计划项目更多>>
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- 蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓蓝宝石衬底MOCVD
- InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究被引量：5
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军郭霞沈光地
- 关键词：发光二极管(LED)
