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北京市教委重点学科建设项目(KZ200510005003)

作品数:3 被引量:8H指数:2
相关作者:邓军刘乃鑫牛南辉韩军王怀兵更多>>
相关机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市教委重点学科建设项目北京市人才强教计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇MOCVD
  • 1篇氮化镓
  • 1篇淀积
  • 1篇多量子阱
  • 1篇气相淀积
  • 1篇量子
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇发光二极管(...
  • 1篇P-GAN
  • 1篇GAN

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇沈光地
  • 2篇刘建平
  • 2篇王怀兵
  • 2篇韩军
  • 2篇牛南辉
  • 2篇刘乃鑫
  • 2篇邓军
  • 1篇郭霞
  • 1篇邢艳辉
  • 1篇李彤
  • 1篇张念国
  • 1篇邢燕辉

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2006
3 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量:1
2006年
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。
牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地
关键词:氮化镓蓝宝石衬底MOCVD
InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究被引量:5
2006年
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。
牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军郭霞沈光地
关键词:发光二极管(LED)
共1页<1>
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