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国家高技术研究发展计划(2002AA312060): 作品数：16 被引量：48H指数：4; 相关作者：余金中陈少武夏金松樊中朝刘敬伟更多>>; 相关机构：中国科学院更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

SOI基光耦合器研究进展: 2007年; 文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展,着重介绍了目前耦合效率最高(55%),且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性。; 刘艳余金中; 关键词：耦合器

光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展被引量：11: 2005年; 文章简要介绍了光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展,重点分析了控制和驱动电路的功能以及不同类型和材料的光开关的控制和驱动电路的实现形式。同时讨论了控制和驱动电路与光开关芯片的系统集成方法。; 李运涛陈少武余金中; 关键词：光开关光电集成

热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度被引量：3: 2004年; 提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量 .通过 Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析 .用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较 .实验中将硅波导的表面粗糙度由6 5 .4 nm降低到了 8.8nm.; 陈媛媛夏金松樊中朝余金中; 关键词：热氧化表面粗糙度

硅基光电集成器件研究进展被引量：3: 2005年; 随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善 ,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作 ,外量子效率可达到 0 .1% ;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到 1GHz以上 ;而硅基光探测器对 130 0nm与 15 5 0nm波长的探测响应度也已分别达到了 0 .16mA/W和 0 .0 8mA/W .文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述。; 孙飞余金中; 关键词：硅基响应度调制器外量子效率光电集成器件 GH

SOI Waveguides Fabricated by Wet-Etching Method: 2003年; SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated.The single mode waveguide and 1×2 3dB MMI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of effective index method and guided mode method.The devices are fabricated.Excellent performances,such as low propagation loss of -1.37dB/cm,low excess loss of -2.2dB,and good uniformity of 0.3dB,are achieved.; 王小龙严清峰刘敬伟陈少武余金中; 关键词：SOI

支撑光网络发展的硅基光电子技术研究被引量：4: 2003年; 作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术 ,硅基光电子技术越来越受到重视 .文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果 :采用自行设计的UHV/CVD系统 ,成功地生长出Ⅱ型SiGe/Si量子阱和量子点 ,直到 2 5 0K仍能观察到自组织生长Ge/Si(0 0 1 )量子点的发光峰 ;研制成功SiGe/Si谐振腔增强型光电二极管 (RCEPD)、Y分支MZI光调制器和多模干涉 -马赫 -曾德干涉型光开关等Si基光电子器件 ;1 .3μm处RCEPD的量子效率达到 4 .2 % ,- 5V偏压下暗电流密度 1 2 pA/ μm2 ;2× 2热光型光开关的响应时间小于 2 0 μs,两输出端关态串扰为 - 2 2dB ,通态串扰为 - 1 2dB .; 余金中; 关键词：全光网络半导体光电子器件光电探测器

从OFC 2004看全光网中关键光器件的新发展被引量：7: 2005年; 概述了在OFC2004会议上报道的几种支撑光网络发展的关键器件的最新进展,包括滤波器、光开关、可变光衰减器(VOA)、全光波长转换器(AOWC)及波长选择开关(WSS)等。介绍了这些新型器件的工作原理和结构。; 陈媛媛余金中; 关键词：OFC 全光网光器件可变光衰减器全光波长转换器 WSS

ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响被引量：5: 2004年; 研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁 .通过优化刻蚀参数 ,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的; 樊中朝余金中陈少武杨笛严清峰王良臣; 关键词：SOI ICP 粗糙度脊形光波导

一种模拟倾斜折射率界面光波导的新方法被引量：3: 2006年; 针对传统离散格式下,束传播方法(BPM)模拟倾斜折射率界面出现的问题,提出了一种简明且易于编程实现的改进方案.在横向上,通过坐标系变换和插值处理,以新颖的7点差分格式代替传统的5点差分方式;在纵向上,以四阶显式Runge_Kutta方法(RKBPM)代替二阶Crank_Nicholson算法(CNBPM),避免了求解不规则矩阵方程,从而使计算效率显著提高.; 余和军夏金松余金中; 关键词：束传播方法 RUNGE-KUTTA方法脊形波导

一种可以提高热光开关阵列可靠性的驱动电路的设计(英文)被引量：1: 2005年; 分析了加热器对热光开关阵列可靠性的影响并在此基础上提出了一种改进的驱动电路,使4×4 简化树形结构的光开关的阵列的可靠性从78.87%提高到97.04%。模拟及实验结果表明该控制和驱动电路可以为热光开关阵列提供适当的驱动电流。; 李运涛陈少武余金中; 关键词：驱动电路可靠性

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