国家重点基础研究发展计划(2002CB613505)
- 作品数：13 被引量：54H指数：4
- 相关作者：俞大鹏尤力平朱静赵永刚单旭东更多>>
- 相关机构：北京大学清华大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- Co掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其光致发光性能被引量：25
- 2008年
- 以Zn(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O为原料,通过水热法在较低温度下制备了纯ZnO和Co掺杂的ZnO(ZnO:Co)纳米棒.利用XRD、EDS、TEM和HRTEM对样品进行了表征,结合光致发光(PL)谱研究了样品的PL性能.结果表明,水热法制备纯ZnO和ZnO∶Co纳米棒均具有较好的结晶度.Co2+是以替代的形式进入ZnO晶格,掺入量为2%(原子分数)左右.纯的ZnO纳米棒平均直径约为20nm,平均长度约为180nm;掺杂样品的平均直径值约为15nm,平均长度约为200nm左右;Co掺杂轻微地影响ZnO纳米棒的生长.另外,Co掺杂能够调整ZnO纳米棒的能带结构、提高表面态含量,进而使得ZnO:Co纳米棒的紫外发光峰位红移,可见光发光能力增强.
- 王百齐夏春辉富强王朋伟单旭东俞大鹏
- 关键词：ZNO纳米棒CO掺杂水热法制备
- 定量会聚束电子衍射:Ⅰ.研究动态被引量：3
- 2007年
- 本文介绍了一种在材料研究和半导体器件分析等领域中常用的结构分析技术——定量会聚束电子衍射术。主要介绍会聚束电子衍射方法的简史及近况、定量会聚束电子衍射的特点和发展方向。同时,简述了定量会聚束电子衍射技术在材料科学研究中的应用和实验的基本过程。
- 冯方张爱华朱静
- 定量会聚束电子衍射:Ⅱ.QCBED在镧钙锰氧中的应用
- 2007年
- 本文介绍了定量会聚束电子衍射术在镧钙锰氧材料中的应用。结合La2/3Ca1/3MnO3材料的特点,作者对定量会聚束电子衍射的实验方法和优化程序进行了改进,包括采用图像畸变校正、多起点聚簇全局优化算法等。在对该材料的晶格畸变研究工作的基础上,通过对电子零损失峰能量过滤的会聚束电子衍射图样的拟合测定了La2/3Ca1/3MnO3九个衍射的精细结构因子。
- 冯方张爱华朱静
- 关键词：全局优化算法LA2/3CA1/3MNO3
- 基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征
- 2007年
- 通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点。采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型。
- 马圆尤力平张小平俞大鹏
- ZnO纳米棒中结的透射电镜研究被引量：1
- 2008年
- 本文采用化学气相沉积法制得大量ZnO纳米棒,利用会聚束电子衍射(CBED)研究了纳米棒的生长方向,验证了纳米棒在生长过程中产生碰撞。通过TEM研究发现,纳米棒沿c轴生长,碰撞形成的晶界并不是一个随机取向的大角晶界,为了降低能量,晶界具有孪晶关系。晶界的存在导致晶体产生缺陷生长,使纳米棒的结的附近区域长粗。
- 章新政单旭东尤力平俞大鹏
- 关键词：孪晶碰撞氧化锌纳米棒
- 超精细纳米结构加工技术被引量：3
- 2007年
- 利用高能会聚电子束的辐照损伤能力,在300 kV高分辨透射电镜中成功加工出小于5 nm的超精细纳米结构。加工精度在特征尺寸和空间位置上可同时达到一个纳米。加工的纳米结构具有原子尺度的边界,并可以通过高分辨像直接监视纳米结构的形成过程。这种技术可以广泛应用于各种无机材料,尤其适用于无机化合物。结合自动控制,这种技术可以用于加工任意复杂的二维纳米结构。
- 张敬民廖志敏尤力平叶恒强俞大鹏
- 关键词：高分辨透射电镜
- Effect of sputtering on depositing platinum by focused ion beam
- Focused ion beam(FIB)is a tempting maskless technique for modifying and debugging microcircuit.In this paper,t...
- Z.M.Liao
- 弛豫铁电体材料PMN及PMN-PT的电子显微学研究被引量：1
- 2007年
- 弛豫铁电体PMN(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3)和PMN-xPT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3)由纳米畴结构组成。在弛豫铁电体PMN中B位有序的模型,以及有序畴和极化微区的关系是长期悬而未决的科学问题。本文采用纳米束电子衍射和能谱分析结合的手段确定了B位有序的杂乱位置模型;在有序畴和无序基体之间的成分波动最剧烈,有序无序界面可能是极化中心的位置;电子衍射和高分辨像还发现了片状反铁电畴结构,这种结构与铁电有序相互竞争,使得PMN中局部结构的相互竞争更加复杂。在PMN-xPT中准同型相界附近的单斜相的本质一直存在异议,X光衍射、中子衍射以及偏光显微镜只能给出宏观的结果,不能给出纳米尺度的结构信息,本文利用会聚束电子衍射,成功的解决了这一问题,确定单斜相MC具有多层次的畴结构,在纳米尺度具有四方对称性,而在宏观尺度由于平均效应具有单斜对称性。文中还讨论了采用电子显微学方法研究铁电体时,遇到的技术难点及相应的解决方法。
- 王慧朱静苗澍金红政张孝文
- 关键词：电子显微学弛豫铁电体PMNPMN-PT准同型相界
- Cu掺杂的ZnO纳米号角的制备、表征和生长机制被引量：4
- 2008年
- 本文采用简单的物理气相沉积法制备了形貌新颖、产量较高的Cu掺杂ZnO单晶纳米号角。运用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨电子显微镜(HRTEM)和X射线能谱仪(EDS)对纳米号角进行了结构和成分表征,建立了结构模型。号角的六个对称的倒梯形侧壁围成了倒六棱锥的空腔,生长方向是[0001],棱锥面是(01 ■)晶面。提出了纳米号角可能的生长机制,指出Cu可能是纳米号角生长的催化剂。
- 于超章新政徐军俞大鹏
- 关键词：CU掺杂氧化锌
- 纳米Si-SiO_x和Si-SiN_x复合薄膜的低温制备及其发光特性被引量：7
- 2004年
- 用等离子体增强化学气相沉积法在低温 (低于 5 0℃ )衬底上沉积Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜 ,可得到平均颗粒尺寸小至 3nm的高密度 (最高可达 4 0× 10 1 2 cm- 2 )纳米硅复合薄膜 .5 0 0℃快速退火后 ,这种复合薄膜显现出优异的可见光全波段光致发光特性 .通过比较相同条件下所制备的纳米Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜的光致发光效率 ,发现纳米Si SiNx 具有更为优异的光致发光效率 。
- 纪爱玲马利波刘澂王永谦
- 关键词：光效率发光特性快速退火
